“随着5G网络的全面铺开，移动终端对射频模块的需求持续增加，射频前端芯片制造工艺正在从200mm到300mm RF-SOI过渡，然而，国内SOI晶圆市场供应商量产300nm能力不足。”上海微系统所魏星在第八届FD-SOI论坛上指出。
他在演讲中提到其团队在300mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了国内第一片300mm 射频 SOI晶圆。
团队基于集成电路材料全国重点实验室300mm SOI研发平台，依次解决了300mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现了国内300mm SOI制造技术从无到有的重大突破。
为制备适用于300mm RF-SOI的低氧高阻衬底，团队自主开发了耦合横向磁场的三维晶体生长传热传质模型，并首次揭示了晶体感应电流对硅熔体内对流和传热传质的影响机制以及结晶界面附近氧杂质的输运机制。
300mm RF-SOI晶圆的自主制备将有力推动国内RF-SOI芯片设计、代工以及封装等全产业链的协同快速发展，并为国内SOI晶圆的供应安全提供坚实的保障。未来，国内主流集成电路制造企业的300mm RF-SOI工艺代工能力也必定会再上台阶。
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