三星电子晶圆代工事业部副总裁 Jeong Ki-tae 25日表示，“在 1.4nm 工艺中，数量纳米片的数量增加到4片，目标是在2027年实现量产。”
GAA 是一种晶体管结构，其中栅极围绕着四个电流流过的通道。与覆盖三个通道的现有 FinFET 结构相比，该技术可提高数据处理速度和功率效率。三星电子自去年上半年以来一直采用 GAA 量产 3nm 工艺。竞争对手台积电和英特尔计划从2nm工艺开始应用GAA。
Nanosheet是指GAA过程的通道。三星电子正在以薄而宽的纳米片形式实现通道，并将其应用于 GAA 工艺。三星电子目前正在量产的3nm工艺采用了三片纳米片。
三星电子计划在 1.4nm 工艺中将纳米片的数量增加到四个。（图片：三星电子）
据介绍，扩展纳米片数量增加了晶体管的宽度，从而可以提高驱动力。”这意味着可以通过增加通道来最大化电子的运动。利用这一点，半导体速度也会提高。
通过增加纳米片，三星电子有望进一步拉大与台积电和英特尔的GAA技术差距。两家公司将分别于2025年和2024年开始量产2nm工艺。英特尔计划首先将2nm工艺应用到自己的半导体生产中。
此外，三星电子宣布将从1.4nm开始应用先进的后端供电网络（BSPDN）。高级 BSPDN 被认为是 BSPDN 的后继技术。BSPDN 是一种通过将电源布线放置在晶圆背面来改善电源和信号线以及电池利用率瓶颈的设计结构。三星电子计划从2nm工艺开始引入BSPDN。
郑副总裁也解释了为什么3nm客户很难获得。他解释说，“当新技术发生变化时，有些技术可能与现有技术有很大不同，但它们也可能具有相似的特性，”并补充说，“台积电的 3nm 工艺（使用 FinFET）和我们的 3nm 工艺的特性是相似的。” 他继续说道，“（然而，就FinFET而言），进一步改进似乎并不容易，”并表示有信心，“（3nm）第二代将于明年发布，许多客户正在这样做，因为他们参与其中”。
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