日前，长鑫存储面向中高端移动设备市场，正式推出LPDDR5系列产品，成为国内首家推出自主研发生产的LPDDR5产品的品牌，不仅进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局，更实现了国内市场LPDDR5产品零的突破。
据介绍，长鑫的LPDDR5系列产品包括12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。
其中，12GB LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。
LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。与上一代LPDDR4X相比，长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%。
长鑫存储LPDDR5芯片加入了强大的RAS功能，通过内置纠错码（On-die ECC）等技术，实现实时纠错，减少系统故障，确保数据安全，增强稳定性。
据悉，长鑫存储LPDDR5芯片将面向笔记本电脑、智能手机、平板电脑、可穿戴设备应用。
LPDDR全称为Lwo Power Double Data Rate，简称“低功耗内存”，是美国JEDEC固态技术协会面向低功耗内存所指定的通信标准，以低功耗和小体积著称，专门用于移动式电子产品。
而LPDDR5就是最新的标准。美国固态技术协会把LPDDR5标准命名为JESD209-5，规定了LPDDR5将以6400MT/S的速度运行，是LPDDR4速度的两倍，比LPDDR4X的4266MT/S快了50%。
LPDDR5有三大优势，分别是多Bank Group架构，速率跨越式升级最多可达50%性能优势提升和超低功耗。
相比之下，LPDDR4X只支持Single Bank Group，而LPDDR5支持多Bank Group模式，这里可以理解为数据可以多通道传输，从而进一步提升了传输数据带宽。也正是因为Bank Group模式，从LPDDR4X的4226MT/S的传输速率提升至了5500MT/S，传输带宽从34GB/S提升至了44GB/S。
同时LPDDR5内部有三组电压，VDD1/VDD2/VDDQ，其中VDD2又分为VDD2H和VDD2L，相比LPDDR4X，LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V，VDDQ由0.6V降至0.5V，另外还有新加入的DVFSC和DVFSQ功能，可在低速工作时切换至更低的0.9V和0.3V电压，因此，LPDDR5的功耗会更低。正是因为这样，所以功耗相比前一代产品，功耗下降了2成以上。
SK海力士近日表示，存储行业正迈入全面复苏阶段，预计所有应用的出货量都有望实现增长。
其中智能手机方面，伴随部分换机周期来临，2024年智能手机出货量预计增长5%。由于今年下半年新机发售加上旗舰产品组合增加，LPDDR5需求会持续加速。
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