据EDN电子技术设计报道，尼康宣布将于2024年1月正式推出ArF 193纳米浸没式光刻机“NSR-S636E”，生产效率、套刻精度都进一步提升。
据悉，尼康这款曝光机采用增强型iAS设计，可用于高精度测量、圆翘曲和畸变校正，重叠精度(MMO)更高，号称不超过2.1纳米。
分辨率小于38纳米，镜头孔径1.35，曝光面积为26x33毫米。
对比当前型号，它的整体生产效率可提高10-15％，创下尼康光刻设备的新高，每小时可生产280片晶圆，停机时间也更短。
尼康还表示，在不牺牲生产效率的前提下，新光刻机可在需要高重叠精度的半导体制造中提供更高的性能，尤其是先进逻辑和內存、CMOS图像传感器、3D闪存等3D半导体制造，堪称最佳解决方案。
另据了解，新光刻机的光源技术是20世纪90年代就已经成熟的“i-line”，再加上相关零件、技术的成熟化，价格将比竞品便宜20-30％左右。
不过，目前尚不清楚尼康这款光刻机能制造多少纳米的芯片。
据EDN了解，ArF光刻机也就是DUV光刻机，光源波长达到193nm，波长的限制使得DUV无法实现更高的分辨率，因此DUV只能用于制造7nm及以上制程的芯片。
目前尼康主推ArF浸没式技术，大部分精力都在Arf和i－line光刻机领域。尼康曾表示：随着小型化的进展，达到了阻止现有光刻技术处理较小尺寸的理论障碍，这个问题的解决方案是浸入式光刻技术，尼康将其整合到其半导体光刻系统中。
尼康常务执行董事滨谷正人曾断言，“ArF液浸作为尖端曝光装置使用的电路尺寸是主战场”。
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