在IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，台积电提到了他们的1.4nm制程工艺，透露已在研发。
虽然台积电方面并未透露1.4nm制程工艺的量产时间和具体参数，但外媒在报道中提到，考虑到2nm制程工艺在2025年量产，N2P制程工艺在2026年年底量产，1.4nm制程工艺预计会在2027年到2028年量产。
另外，外媒在报道中还提到，台积电的1.4nm制程工艺是被称为A14，在技术方面，台积电的A14节点可能不会采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术。然而，该公司仍在积极探索这一领域，并期待利用第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）技术实现新的性能、功耗和功能水平。
同台积电不断提升的制程工艺一样，更先进的1.4nm制程工艺，也将提升晶体管的密度，提升芯片的性能，降低能耗。
台积电强调，为了使N2和A14等节点能够真正发挥作用，实现新的性能、功耗和功能水平，需要进行系统级的协同优化。这无疑对公司的研发团队来说是一个巨大的挑战。
据EDN电子技术设计了解，早在2022年台积电就表示将于当年6月将其3nm工艺研发团队转为1.4nm工艺研发团队，与此同时，有消息称，三星对此也将采取相应措施。
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