当前AMOLED显示面板正朝着低能耗、大尺寸、超高清等方向发展，对其驱动芯片的像素电路集成度和性能也必然会提出更高的要求。然而，随着摩尔定律逐渐接近理论极限，依靠“微缩”器件尺寸来提升集成度的传统技术也在不断逼近并超越光刻等微细加工技术的极限，使得继续缩小器件尺寸变得日益艰难。如何在有限的芯片面积内进一步提升像素电路的集成度，便成为了行业面临的一个重大挑战。
最近，根据北京大学官网的消息，该校的研究团队成功研制了一种新型非易失性存储器铁电有机发光晶体管（Fe-OLET）器件，它将开关能力、发光能力和非易失性存储器功能集成到了单个器件中，相比传统的有机发光晶体管，基于存储型有机发光晶体管的显示技术具有更高集成度和更高像素开口率的优势。相关研究成果以“Nonvolatile Memory Organic Light-Emitting Transistors”为题发表于国际知名期刊《Advanced Materials》。
据介绍，该器件的非易失性存储功能是通过铁电聚合物的剩余极化特点实现的，即在外加电场的作用下，铁电材料的极化特性会发生变化，而当这个电场被移除时，数据仍然可以被保存，该特性也使器件能够在零栅极偏压下保持发光。
此外，通过优化铁电层和沟道层之间的界面特性，有机发光晶体管器件的性能得到了显著提升，场效应迁移率提高了20倍，亮度提高了5倍。
器件结构及其存储与发光性能
据悉，论文中还展示了该器件亮度保持特性和重复擦写循环测试的实验结果，证明了其可靠的非易失性存储操作，揭示了其存储机制，这种多功能一体化的有机发光晶体管为进一步提升电路的晶体管集成密度带来了新的范例，也为有机显示像素电路的设计提供了一种新的技术方向。
最前沿的电子设计资讯
