到目前为止，我们所看到的构成了所谓的PNP晶体管的共基极结构。这个术语是指输入和输出网络(即PNP晶体管的发射极和集电极)共用基极端子的情况。
关于PNP晶体管特定情况下电流和电压符号的惯例，让我们来看一下图1所示的图形。
图1：共基极结构的PNP晶体管
传统上，假设IE>0，我们必然有IC、IB<0。如果JE结正向偏置，则VEB>0。同样，对于图1的JC结来说，VCB<0。那么对于NPN晶体管，我们利用对偶性，即反转电流和电压的符号来计算。
现在让我们回顾一下晶体管的广义方程(始终是指PNP的情况)：
将公式1应用于图1所示的图形，意味着VC=VCB<0。由此可见：
假设VCB和IE为自变量。更具体地说，以发射极电流IE作为参数，我们有：
如图2所示，我们预计会出现一系列反向指数爬升。由此获得的曲线构成了静态输出特性。
图2：静态输出特性
静态输入特性给出了在集电极基极电压(VCB)保持不变的情况下，发射极电流(IE)随发射极和基极之间电压(VEB)变化的函数关系。我们可以写成：
将VCB作为一个参数，我们可以得到一系列曲线(即静态输入特性)。为了能够将它们绘制出来，让我们考虑一下等效于PNP晶体管的电路。可以通过想象两个相对的PN结(即第一个PN结的阴极与第二个PN结的阳极串联)来进行模拟，如图3所示。
图3：PNP晶体管可以看作两个相互连接的二极管
在共基极结构中，Din处于正向偏置状态。因此，根据符号的含义，我们有：
因此，我们得到了图4所示的趋势，我们注意到有偏移电压的存在，这与结型二极管的情况完全相同。共基极结构中发射极和集电极的极化状态决定了不同的区域。准确地说，是JE正向偏置和JC反向偏置的有源区，以及两个结都正向偏置的饱和区。由此可见，对于集电极电流，我们有：
因此，集电极电流作为VCB的函数会按照指数趋势变化。最后，截止区由集电极电流截止点来定义(即发射极开路时)。
图4：静态输入特性
(原文刊登于EDN姊妹网站Power Electronics News，参考链接：Scientific Notes on Power Electronics: Common Base Configuration，由Ricardo Xie编译。)
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