英特尔在 IFS Direct 上公布了其下一代工艺节点的全新路线图,其中包括 14A 和已公布节点的更新。英特尔 2027 年工艺路线图为下一代半导体规划了 14A、14A-E、18A-P、3E 和 3-PT 节点。
英特尔公司还强调了客户动力和生态系统合作伙伴(包括Synopsys、Cadence、西门子和Ansys)的支持,这些合作伙伴概述了他们为加速英特尔代工厂客户的芯片设计所做的准备,包括针对英特尔先进封装和英特尔18A工艺技术验证的工具、设计流程和IP组合。
这些消息是在英特尔的首次Foundry活动"Foundry Direct Connect"上发布的, 这些公告的要点如下:
英特尔公布了最新的工艺节点路线图,其中包括每个节点的"E"、"P"和"T"后缀子版本。所有这些后缀都代表了功能集、性能或封装技术的某种扩展。P"代表 18A-P 和 3-PT 等更高的性能,比其标准变体最多可提高 10%,而"T"代表使用 TSV 或硅通孔,这将是 3D Foveros Direct 技术的一部分。E"子变体是对经典节点的扩展,主要针对特定客户。
此外,该公司还宣布,其下一代 Clearwater Forest Xeon E-Core CPU已经开始封箱出货,而 18A 已准备好在 2024 年第二季度进行完整的产品设计。
工艺路线图扩展至 5N4Y 之外
英特尔的扩展工艺技术路线图为公司的前沿节点计划增加了14A,此外还有几个专门的节点演进。英特尔还确认,其雄心勃勃的四年五节点(5N4Y)工艺路线图仍在按计划进行,并将推出业界首个背面电源解决方案。公司领导预计,英特尔将在 2025 年凭借英特尔 18A 重新夺回工艺领先地位。
照片显示的是 2023 年 12 月在俄勒冈州英特尔晶圆厂用于堆叠 Foveros 封装技术的 DMX 取放工具。
新路线图包括 3、18A 和 14A 工艺技术的发展。其中包括 3-T,该技术针对三维高级封装设计的硅通孔进行了优化,并将很快进入生产准备阶段。
此外,还重点介绍了成熟的工艺节点,包括上个月宣布与联电联合开发的12纳米新节点。这些演进旨在帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品。英特尔代工厂计划每两年推出一个新节点,并在此过程中进行节点演进,为客户提供在英特尔领先的工艺技术上不断演进产品的途径。
英特尔还宣布将Foundry FCBGA 2D+加入其全面的ASAT产品系列,其中包括FCBGA 2D、EMIB、Foveros和Foveros Direct。