之前的文章中介绍的输入特性是指锗PNP晶体管，更确切地说，是图1所示的德州仪器(TI)2N3371晶体管。
图1：TI的2N3371锗晶体管
现在让我们回顾一下有关这些特性的方程：
我们注意到，对于给定的输出电压VCE，方程(1)并不能完全精确地表示pn结的电压-电流特性，因为它应该是发射极电流IE而不是基极电流IB的函数。
我们还记得极化电压VCC符号的惯例(图2)，其中电流和输出电压VCE均为负。我们暂不表示 VBE的符号，只取其绝对值，并在任何情况下，都假设发射极结JE是正向偏置的。
图2：PNP晶体管电路图(共发射极结构)
不过，我们可以尝试写出上述特性的反函数，这样就会出现对数方程而不是指数方程：
其中I0>0是“反向饱和电流”项，但它不是发射结的反向饱和电流。请注意，方程(2)只是一个非常粗略的尝试，用于证明输入特性的趋势。事实上，这个方程中应该要有方程(1)所要求的参数VCE。
然后，我们进行了一系列测量(在室温下：VT=26mV)，将集电极与发射极短路(VCE=0)。测量数据列于表1。
表1：VBE和IB的测量值
图形及相关拟合结果如图3所示。得到的解析表达式如下：
当I0=0.1mA时，V0=10-1V(后者是归一化/量纲化的电势)。从上表中我们可以看出，当IB=0时，我们有|VBE|=0.0029mV。预期值为0(测量值在实验误差范围内)。在这些条件下，集电极和发射极与基极短路。随着|IB|的增大，电压|VBE|缓慢增大，并且出现了典型的结偏移项。
通过进行类似的实验过程可以重建其余的特性。然而，它们的规律与等式(3)所示的不同。
图3：集电极与发射极短路时的输入特性(TI的2N337 PNP晶体管的共发射极结构)
(原文刊登于EDN姊妹网站Power Electronics News，参考链接：Scientific Notes on Power Electronics: Input Characteristics of a PNP transistor，由Ricardo Xie编译。)
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