在过去的十年中，分子开关嵌入式存储器件，特别是场效应晶体管(FET)，引起了业界的广泛兴趣，但作为存储器件功能的关键因素，实现具有长保留时间的大存储窗口仍然是一个挑战。
而就在近日，韩国浦项科技大学(POSTECH)的研究团队成功开发了一种能够调整阈值电压的新型存储晶体管，相关成果以“Photophore-Anchored Molecular Switch for High-Performance Nonvolatile Organic Memory Transistor”为题发表在《Advanced Science》网络版上。
反应的实现过程
据了解，分子开关是通过利用不同有机分子异构体的转换特性来控制电信号的，当这些开关集成到场效应晶体管中时，它们就可以在分子层面控制电子流。但基于分子开关的场效应晶体管受限于寿命，其有效深陷阱捕获和存储电子的能力有限。
为了解决这一难题，研究团队引入了一种名为“光子桥”的新颖概念，他们在包含二芳基乙烯(DAE)的分子开关的一端，结合叠氮化物和二氮丙啶，并使用光线照射，这些基团就能与有机聚合物半导体形成化学键，从而将通常不稳定的DAE封闭异构体稳定在深陷阱捕获状态。
实验成果显示，采用DAE化合物的有机FET(OFET)存储窗口为22V，在超过100万秒的时间内都维持在稳定的深陷阱态，光可编程开关比超过103，并在100个周期内都保持了高运行稳定性。
据悉，该团队的OFET拥有通过光交联进行精确图案化的能力，能够对半导体层的结构进行精细的控制，在微电子和光电子等领域都有着诸多潜在应用，研究人员表示，该项研究为存储晶体管领域开辟了新的机遇，也将对数据存储和处理技术产生重大影响。
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