结型场效应晶体管(JFET)通常需要向栅极端子施加一定的反向偏置电压。
在HF(高频)和UHF(超高频)应用中，通常使用源电阻器Rs两端的电压来提供这种偏置(图1)。
图1：JFET通常需要在栅极端子上施加一定的反向偏置，在HF/UHF应用中，这通常使用电阻器Rs两端的电压来提供。
除了明显缺乏效率之外，这种方法还有其他缺点：
图2中的电路不存在这些问题。它由一个控制回路组成，为n沟道JFET放大器产生负极性控制电压。
图2：为HF和UHF应用中的n沟道JFET放大器产生负极性控制电压的控制回路。
该电路在自制的光耦合器中使用了两个红外LED IR333C(直径5mm)。将两个这样的LED面对面放置在一个大约12mm长的适当PVC管中，仅此而已。一个这样的器件可在Iled<4mA时产生0.81V的电压，这对于HEMT FHX35LG来说已经足够了。
当然，如果需要更高的电压，可以级联几个这样的设备。
回路中的主要放大作用由JFET本身完成。其值约为gm*R1，其中gm是Q1的跨导。
晶体管对Q2和Q3与电阻器R1和R2上的压降进行比较，使它们相等。因此，通过改变R2:R3的比例，就可以设置所需的工作点：
Id = Vdd * R2 / ((R2 + R3) * R1)
我们可以看到，漏极电流(Id)仍然取决于电源电压(Vdd)。为了避免这种依赖性，我们可以用一个齐纳二极管代替电阻器R2，然后：
Id = Vz / R1
(原文刊登于EDN美国版，参考链接：Bias for HF JFET，由Ricardo Xie编译)
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