关于宇宙射线的影响，我们曾经在“运用双MOSFET避免SEU的影响”一文中讨论过。
当时的想法是由于“组件冗余”的作用——在文中的示例采用一对MOSFET，当开关模式电源(SMPS)中的一个MOSFET由于宇宙射线粒子、单粒子翻转(SEU)而导致无法正常开关或切换时(图1)，其配对的MOSFET仍能正常运作。
图1：宇宙射线造成的SEU效应可能导致组件故障。
不过，这种SEU效应不一定来自宇宙射线粒子。CMOS集成电路(IC)有时也会无缘无故地出现闩锁(latch-up，LU)效应。这种闩锁效应是由内部四层结构引起的，这些结构看起来非常像可控硅整流器(SCR)，一旦被触发，几乎可将+Vcc轨引脚短路到接地。与功率MOSFET的情况不同，组件冗余可能无法实现。在这种情况下，SEU效应的恢复可能是解决之道。
图2是概念性的，但它源自一个更复杂设计中所使用的实际电路。
图2：SEU效应的恢复概念，其中绿色的电路容易发生闩锁效应。
其基本思路是：绿色的Q1、Q2等表示易发生闩锁的IC，可能是CMOS，而蓝色的V1等则表示闩锁触发器。黄色的RC对提供了闩锁恢复过程中的延迟，以便在示波器上更容易看到从故障中恢复的情况，但我们很快就会移除该RC对。
当IC发生闩锁时，会拉低+5V稳压器的输出。而当该电压低于比较器阈值(+3V，如图2所示)时，比较器会向功率MOSFET发送一个驱动脉冲，从而进一步降低轨电压，使IC闩锁效应无法持续存在。当功率MOSFET再次关断时，+5V稳压器输出电压恢复正常。
如果我们现在移除RC延迟，情况将会以同样的方式进行，但在此模拟过程中，由于发生得太快，导致无法在示波器显示器(图3)看到闩锁组件的饱和电压。
图3：RC延迟已被移除，SEU效应已恢复。
(原文刊登于EDN美国版，参考链接：Single event upset and recovery，由Susan Hong编译)
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