去年12月，台积电在IEEE国际电子元件会议（IEDM）上正式推出了2nm工艺，如今有消息称，台积电已经顺利完成了2nm试产阶段，将在2025年下半年正式进入全面量产阶段。
台积电的2nm工艺的核心亮点在于采用了纳米片晶体管，这是对现有3nm工艺中使用的FinFET架构的重大改进。在FinFET技术中，晶体管的中心结构是垂直的硅鳍片，而纳米片晶体管则直接用一叠薄的带状硅层取代了该鳍片，这种结构转变不仅增强了对器件内电流的控制，还为工程师提供了更大的灵活性，可以设计具有不同纳米片宽度的晶体管以满足不同的性能需求。
据了解，与前代 3nm工艺相比，2nm工艺的晶体管密度提高了1.15倍。此外，根据IEEE Spectrum和Tom's Hardware的数据，与当前的3nm节点相比，2nm技术的性能提高了15%，能源效率提高了35%。
目前，台积电的2nm工艺量产进展顺利，良率已超过60%，远高于此前的预期。预计今年下半年，台积电的新竹和高雄的两大工厂将作为主要生产基地，正式进入全面量产阶段，今年年底月产能将达到5万片晶圆，最大设计产能更可达8万片，而到2026年底，总产能预计将达到12-13万片。
苹果作为台积电的核心客户，预计依旧会是2nm工艺的首批尝鲜者，不过因为时间问题，今年发布的iPhone 17系列应该不会应用，可能会在iPhone 18系列的A20芯片上首发采用该工艺。此外，高通骁龙8 Elite 3和联发科天玑9600等旗舰芯片也预计采用台积电的2nm工艺。
据悉，台积电在推进2nm工艺量产的同时，也在积极布局下一代1.4nm工艺。台积电宝山P2工厂已经开始为1.4nm工艺做内部准备，并取得了重大突破。业界预计，台积电有望在2027年开始1.4nm工艺的风险性试产，并在2028年实现全面量产。
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