日本Novel Crystal Technology成功地将氧化镓外延片制造技术扩大到 100 毫米，使在 100 毫米量产线上制造氧化镓功率器件成为可能。
以肖特基势垒二极管（SBD）和晶体管为代表的半导体功率器件（以下简称功率器件）被集成到世界各地的所有电气设备中。目前，功率半导体材料主流材料是硅，但围绕损耗更小的电力控制，碳化硅（SiC）和氧化镓等材料的开发不断推进。此次成功实现晶圆量产化的氧化镓有望在相关竞争中占据优势。
氧化镓晶圆的价格比碳化硅晶圆低，而且可以更加高效地控制电力。
氧化镓的带隙能量为4.5eV，比目前正在开发的功率器件材料碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）大，是一种损耗较低的功率器件，是可以实现的梦想新材料。此外，氧化镓可以通过熔体生长法结晶，高质量、大尺寸的单晶衬底的生长速度比SiC和GaN快100倍，因此可以预期降低成本......
基于这些特点，国内外企业和研究机构正在加速研发，朝着氧化镓功率器件的早期商业化方向发展。
Novel Crystal Technology在 2019 年成功开发了高质量的 2 英寸（50.8 毫米）氧化镓外延片，并从 2019 年初开始制造和销售。.. 但是，由于器件的制造成本不值得2英寸的成本，因此没有功率器件的量产线，并且该晶片的使用仅限于研发。
这一次，Novel Crystal Technology开发了100mm外延沉积设备，应用2英寸epi高品质技术，使生产和销售高品质氧化镓100mm外延片成为可能。这使得在 100 毫米生产线上制造氧化镓功率器件成为可能。
图：SBD处理的100毫米氧化镓外延片的外观照片。（图片来源：Novel Crystal Technology）
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