EDN还问了另一个问题，就是碳化硅是否会像氮化镓那样走集成化的趋势？黄博士认为，碳化硅集成半桥会比较难，因为碳化硅本身是一种纵向器件，其结构就不太适合做，再加上高速的开关，就很容易受高压信号的干扰。
再就是它材料本来就比较贵。“你把IC做进去，那个材料又很贵，本来可能同样的面积，你做一个硅基IC可能就几毛钱，你做到碳化硅上，那个成本就放大好几倍，这个是不合算的。另一方面，就是从高温的角度来说，因为碳化硅的结温一般会工作在比较高的温度，如果不是有特别高温的需求，一般不太需要用到碳化硅的集成电路。
“而且，碳化硅还有一个特点，就是它的沟道迁移率是比较低的，它的横向MOS性能是比氮化镓要差的。氮化镓有另外的问题，就是如果是硅基氮化镓的话，它是用异质结材料生长，它在缓冲层上有很多的缺陷。在高温高压长时间应力的作用下，它的可靠性问题是很突出的。我以前2012年、2013年的时候也有做氮化镓，包括我们公司现在也有氮化镓的产品，因为氮化镓目前我们也是卖消费级的一些应用，因为确实消费级对可靠性的要求没有那么高。
“我们现在了解到的情况，就是氮化镓在做一些寿命分析的时候，像门级PDTB这种分析实验，大概理论寿命只有15年。如果再做一些早期筛选，砍一半下来，只有可能不到10年的寿命。这在车规应用上是不符合要求的，而碳化硅目前的理论曲线做出来都是上千年、上万年的寿命。我们做一些早期失效的测试，可以把一些早期失效筛出来，而筛出来的产品还有很长的时间可以使用。”黄博士指出。
综上，800V系统可以优化电动汽车的电池和电机相关的体积、重量和效率。SiC器件是比IGBT性能更好的器件，且能让整车效率提升，降低电池成本。另外，以派恩杰为代表的国产SiC MOSFET器件，其性能与可靠性均已达到了国际领先水平。
最后再来了解一下派恩杰碳化硅产品的Demo。
下图是650V、40mΩ以及1200V、20mΩ和17mΩ的MOSFET器件以及晶圆。
下图是1700V辅助电源的方案。
下图是SiC SBD，目前有两个等级：650V和1200V。
1200V、400A的62mm碳化硅半桥模块：
高压工业辅助电源：
3.3kW图腾柱PFC：
用1200V、400A模块做成的逆变器：
SiC模块动态性能评估平台：
最前沿的电子设计资讯
