日前，英飞凌表示，其用于生产碳化硅晶片的“冷裂”技术已获得生产资格。英飞凌称，该技术将为公司在碳化硅功率半导体的生产中提供竞争优势。
据悉，英飞凌于 2018 年 11 月以 1.24 亿欧元（约合 1.4 亿美元）收购了当地初创公司 Siltectra GmbH， 后者开发了一种称为冷裂的创新工艺，用于芯片加工，以更有效地节省材料和加工晶体。英飞凌计划采用冷分流技术，这将使该公司“分割碳化硅（SiC）晶圆，从而使一个晶圆的芯片数量翻倍”。 SiC产品用于电动车辆的动力系统以及其他用途。
英飞凌首席执行官Reinhard Ploss博士曾表示：我们对薄晶圆技术的系统理解和独特专有技术将得到冷分裂技术和Siltectra创新能力的完美补充。 Ploss希望该技术将有助于改善其经济和资源使用，特别是当公司计划与不断增长的电动汽车行业一起扩展时。
据英飞凌称，Siltectra成立于2010年，拥有50多个专利家族的专利组合。 冷分裂技术的进一步发展将在德累斯顿的前任和现任Siltectra工厂以及英飞凌位于奥地利Vallach的工厂进行。 英飞凌宣布，他们是目前世界上唯一一家能够在工业规模上生产300毫米硅晶圆半导体的公司。 Infinion声称这项技术现在可以转移到SiC并计划在未来五年内实现该技术的工业规模使用。
如今距离 2018 年 11 月刚刚过去三年，英飞凌首款“冷裂”碳化硅正式准备生产。
现在英飞凌首席执行官 Reinhard Ploss 表示，该技术得到了进一步发展。“今天我们可以宣布：第一个基于冷裂技术的产品已经获得生产资格。我们现在正在加紧试生产线并准备批量生产。”
目前英飞凌正在使用冷裂从碳化硅晶锭中分离薄晶圆。传统上，这种晶片是通过锯切切片然后使用化学机械抛光来生产光滑的表面来生产的。然而，在锯切过程中损失了大约一半的晶锭体积，在抛光过程中损失了另外四分之一的体积。
英飞凌的冷切割——类似于从岩石中切割板岩——与传统锯切工艺相比，将原材料损失减少了一半，从而提供了竞争优势。
英飞凌希望进一步开发冷分裂技术，并用它来分裂加工过的晶圆，并从晶圆上剥离 100 微米的有源器件层。这将允许处理显露的表面并进一步提高成本。
Ploss 称其为“合二为一”，并表示这将为英飞凌提供可持续的竞争优势。似乎可以进一步采用该工艺，从最初的晶锭切割中制造出两个以上的晶片。
Soitec SmartCut on SiC 试验线预计将于 1H20 开始生产。
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