Weebit Nano 是为全球半导体行业开发下一代存储器技术的开发商，近日宣布与 CEA-Leti 一起将其嵌入式电阻随机存取存储器 (ReRAM) 技术扩展到 22nm，这是业界最先进的技术之一。
EDN电子技术了解到，两家公司正在设计一个完整的 IP 内存模块，该模块集成了一个针对先进的 22nm FD-SOI 工艺的多兆位 ReRAM 块。
Weebit 的首款集成其嵌入式 ReRAM 模块的 130nm 硅片已显示出积极的早期测试结果，公司已成功展示了 28nm 的生产级参数。现在，凭借强大的资产负债表，Weebit 正在迅速加快其开发计划。
| Weebit Nano 首席执行官Coby Hanoch表示：“我们很高兴能够在 22nm FD-SOI 工艺上开发我们的下一个内存模块。我们继续将 Weebit 的内存技术发展到服务于物联网、5G 和 AI 等应用的更小尺寸。” |
| CEA-Leti 硅元件部门负责人Olivier Faynot表示：“ FD-SOI 技术在极低电压和低泄漏的情况下提供了卓越的性能，并被业界广泛采用。将 ReRAM 技术与 FD-SOI 相结合，对于需要新型非易失性存储器并将受益于其效率和稳健性的低功耗嵌入式设备大有希望。” |
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