日前,三星正式发布了全新的UFS4.0闪存,将在今年第三季度开始量产。对比UFS3.1闪存,UFS4.0闪存带来了什么提升?
三星的 UFS 4.0 闪存采用了三星第7代V-NAND技术以及自研主控,顺序读取速度最高可以达到4200MB/s。对比之下,UFS3.0的顺序读取速度一般不超过2100MB/s,可以说性能几乎翻倍。最重要的是,UFS 4.0 可以提供高达 2,800MB/s 的顺序写入速度。
UFS 4.0的能效也更高了,对比UFS3.1,它在同等的耗电量下,能传输的数据提高了46%。也就是说,搭载UFS4.0闪存的手机,续航水平会明显比上一代更好。此外。UFS 4.0 将总带宽提高到每通道 23.2Gbps,是 UFS 3.1 最大限制的两倍。据三星称,带宽的增加将有利于各种应用,如下所述。
“UFS 4.0 提供每通道高达 23.2Gbps 的速度,是之前的 UFS 3.1 的两倍。如此大的带宽非常适合需要大量数据处理的 5G 智能手机,也有望在未来的汽车应用、AR 和 VR 中采用。”
新标准可以配置高达 1TB 的内部存储,这表明越来越多的智能手机可以使用这项技术。由于三星的UFS 4.0闪存将在今年第三季度开始量产,因此今年晚些时候到货的旗舰很可能都不会支持新标准。然而,当 Galaxy S23 系列于 2023 年与其他手机一起推出时,我们有望看到新的存储。
UFS 4.0 更快的速度还可以让应用程序变得更快,打开速度更快,甚至可能与苹果在 iPhone 中使用的 NVMe 存储相匹配。三星并未提及量产新存储是否会比 UFS 3.1 更昂贵。
参考来源:三星半导体