最近遇到一家客户有点“不切实际”地执意要在辐射暴露的供电应用中，使用并非专为辐射环境而设计的功率MOSFET。这就像是在问培乐多彩泥（Play-Doh）能不能拿来制造车辆的轮胎一样。
简言之，关于在辐射环境中使用半导体组件，抗辐射与否绝不应该会是个问题。
许多年以前，我曾经就这个问题请教当时的“国际整流器公司”(International Rectifier；IR)——该公司已于2015年成为英飞凌科技(Infineon Technologies)的一部份。
“…我们公司的一家新客户疑似在其辐射暴露的产品中，采用了非抗辐射的IR功率FET。请问是否有任何应用指南(application note)讨论这可能对于FET本身及其驱动器造成什么危害？”
该公司的技术支持中心给我的回复是：
“…我们并不建议在辐射环境中使用非抗辐射的MOSFET。因此，也没有可在辐射环境中使用此类组件的应用指南。”
在此与读者分享这封邮件：
尽管等了一天的时间才得到答案，但答案十分清楚且明确：
(原文发表于ASPENCORE旗下EDN美国版，参考原文：Non-rad-hard power MOSFET question，编译：Susan Hong)
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