据韩媒报道，三星电子计划最早于本周开始试产采用GAA工艺的3nm产品，并称第一个客户是中国的半导体公司。业界评价称，虽然不是一般意义上的“量产”，但因为它是全球首个采用GAA（gate-all-around）工艺的3nm生产，因此有意义。据悉，美国高通公司也收到了一份“回馈”，表示可以通过委托生产部分数量。
与利用电流通道作为三面的现有PIN PET结构不同，GAA是利用四面的新一代晶体管结构。与FinFET结构相比，它具有更精确的电流控制能力和更高的功率效率，因此被认为是实现超细半导体线宽的必要技术。
据韩媒称，三星3nm GAA 工艺的第一个客户为 PanSemi（上海磐矽半导体技术有限公司），据了解，PanSemi已与三星代工的最大客户高通公司达成协议，可以随时委托生产采用3nm工艺的芯片。
据分析，这是为了应对台湾晶片企业TSMC的3纳米工程出现问题的情况，提前确保三星电子的3纳米工程剩余部分的战略。 此前，高通原计划利用三星电子的3nm工程生产移动AP(应用程序处理器)，但由于三星电子不满足收率条件，所以将转为委托给了TSMC。
三星电子设定了今年上半年量产全球首个3纳米GAA工艺的目标。这一立场在第一季度业绩公布后的电话会议中得到了再次确认。通过此次试产，三星电子“上半年量产3nm”的承诺有望兑现。但据了解，此次生产接近于试产，是通过对产品进行测试，而非一般意义上的量产。
业界认为，三星电子实际上正在生产全球首个 GAA 3nm 工艺这一事实意义重大。三星电子曾指出，由于缺乏与 3nm 工艺相关的 IP（知识产权）以及良率低迷，3nm 工艺发展并不顺利。近日，也有观察称，3nm工艺量产计划推迟。三星电子对此反驳称，“3纳米量产计划正在如期进行，没有任何挫折，今年上半年将开始量产。”
一位业内人士表示，“即使是在试产阶段，通过提高 3nm GAA 工艺的技术和良率，对三星电子的安全保障也有很大帮助。目前还不清楚。” 据观察，使用实际 3nm 工艺的量产时间可能需要再观察一段时间。有人说，三星电子全面量产GAA 3nm的时间最早是今年年底，最迟是明年上半年。
同时，台积电正准备量产基于 FinFlex 的 3nm 工艺（N3）。Finflex 是一种提供现有 FinFET 结构的技术，可根据芯片设计人员所需的各种选项进行定制。例如在3N工艺的基础上，频率最高的3-2 FIN、兼顾性能和效率的2-2 FIN、强调功率效率的1-2 FIN都可以混合使用在同一个裸片上。基本的N3工艺将从今年下半年开始量产，改进后的工艺将在之后量产。
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