今日（7月1日），雷军在个人微博官宣新的自研芯片——小米澎湃G1电池管理芯片，该芯片将于7月4日与小米12S系列共同发布。此外，还分享了小米电池技术新进展、小米自研FBO焕新存储技术以及最新升级的叶脉冷泵散热技术。
小米此前已经自研了“澎湃P1”充电芯片与“澎湃C1”手机影像芯片，雷军表示，澎湃P1快充芯片加澎湃G1电池管理芯片的推出，实现了电池管理全链路技术自研的突破。小米12S Ultra将搭载这两颗自研芯片，毫秒级实时监控电池安全，大幅提升续航预测精准度，最重要的是，有效增强续航时长。
续航提升方面，澎湃G1可以精准适配硅氧负极的放电曲线特性，动态调整放电状态（DTPT)，整体提升3-5%续航时长。
在硅氧负极电池、澎湃P1和澎湃G1的共同作用下，“小米澎湃电池管理系统”可以让Xiaomi12S Ultra拥有快速的有线澎湃秒充和无线秒充，同时一举成为小米有史以来续航最长的数字旗舰手机。
雷军表示小米12S#新一代钴酸锂电池，耐压体系和创新设计，容量增加了100mAh，小机身有大电量。
小米12SUltra采用更先进更贵的第二代硅氧负极电池，这种电池常用于新能源汽车上，通过“掺硅补锂”的方式，在电池负极增加了纳米级富锂硅氧材料，4倍锂离子存储能力。这是动力电池技术在手机上最新应用。
据介绍，使用该材料攻克了硅碳电池首次充电效率低，及硅颗粒易破裂粉化问题，解决硅负极电池循环寿命短的业内问题。
官方还称，第二代硅氧负极材料带来了4倍于传统锂电池的锂离子存储能力。
小米此前在小米11 Pro/Ultra上首发了硅氧负极电池技术，在轻薄机身放入容量高达5000mAh的大电池。这表明小米在手机锂电池核心技术上有了长足发展。
雷军表示，FBO技术，在UFS存储芯片中自动检测、自动整理手机存储碎片。模拟4年使用测试，读写速度几乎无衰减。小米12S Ultra 已使用搭载这项技术的UFS，系统体验更流畅。
据介绍，FBO焕新存储技术已经获得了西部数据、美光、三星、SK海力士、铠侠、长江存储等主流闪存品牌的支持。
同时，该技术已经获得JEDEC（国际半导体产业标准化协会）的认可，被列入下一代闪存标准UFS 4.0的正式规范，在UFS 4.0投入量产后，将向全行业开放。
据悉，小米FBO技术可有效避免手机长期使用后性能下降，读写性能恢复如新，模拟4年使用后，读写速度衰减接近0%。
根据小米研发工程师长期验证，一台全新的小米12S Ultra读取速度可达1900MB/s，模拟4年多使用后，读取速度会降低至400MB/s，而FBO焕新存储功能生效后，读取速度又恢复到1900MB/s，接近一台全新手机。
此外，雷军称小米12S Ultra的散热技术再升级。
这套新的散热系统采用仿生设计，原理类似植物叶片，为冷夜传导打开高速通道，在导热性能上比传统的VC均热板提升了100%。
简单来说，该技术在VC均热板的基础上，提升了内部冷夜的循环效率，从而起到了提升散热效能做的作用。
除了这套新的散热系统外，骁龙8+本身也有不错的功耗表现。
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