抢跑3nm制程竞赛，三星能否领先台积电？

就在台积电(TSMC)于其2022 年北美技术论坛(2022 North America Technology Symposium)中揭露3奈米制程节点细节的几天后，有报导指称其主要竞争对手——三星(Samsung)已开始制造其3nm芯片。台积电计划在今年年底开始3nm芯片量产。HFHednc

值得注意的是，台积电的3nm节点基于FinFET技术，而三星正为此制程几何转向环绕式闸极晶体管(Gate-All-Around FET，GAA FET)架构技术。GAA 设计让晶圆厂得以在不损害其承载电流的能力情况下缩小晶体管尺寸。另一方面，台积电的FinFET架构(称为FinFlex)则让芯片设计人员能够实现各种鳍式配置，以满足性能、功率和裸片尺寸目标。HFHednc

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图1：三星的3nm制程节点采用GAA技术架构，三星称之为多桥信道FET或多桥信道场效晶体管(MCBFET)。(图片来源：Samsung)HFHednc

另外值得注意的是，美国总统拜登(Joe Biden)最近访问了三星位于京畿道平泽市(Pyeongtaek)的制造厂，参观其3nm制程展示。业界观察人士认为，三星可能会在新的3nm节点上制造其Exynos 2300芯片，这些芯片并用于部份的Galaxy S23智能型手机。HFHednc

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图2：美国总统拜登参访三星位于平泽附近的旗舰级半导体制造厂，观看3nm制造技术展示。HFHednc

（图片来源：Associated Press）HFHednc

业界观察家并将密切关注以3nm几何节点制造的新芯片良率，尤其是三星的4nm节点还存在多个良率问题。根据业界的分析报告，三星预计其 3nm 节点比起5nm制程将缩减35%的芯片面积、提升30%的性能并降低50%的功耗。HFHednc

三星领先量产3nm技术的发展颇令人玩味，因为根据市场研究公司Gartner的数据显示，台积电分别在7nm和5nm节点占据绝大多数的市占率。因此，藉由比台积电更早一点开始制造3nm芯片，是否有助于三星获得显著优势，也将会是一件值得观察的趣事。HFHednc

(参考原文：The 3-nm fab race: Samsung reportedly nears the finish line，编译：Susan Hong)HFHednc