据韩国媒体报道称，SK海力士正在赢得下一代高带宽内存（HBM）市场。
秘诀在于 MR-MUF技术，全称为批量回流模制底部填充（Mass reflow molded underfill），它是将多个芯片放置在下层基板上，通过回流焊一次性粘合，然后同时用模塑料填充芯片之间或芯片与基板之间间隙的方法，该方法主要用于倒片封装和TSV芯片堆叠方法。
凭借这项自主研发的技术，SK海力士正在领先处于早期阶段的HBM市场，超越其竞争对手美光以及DRAM第一制造商三星电子。值得注意的是，DRAM排名第二的SK海力士，在尖端内存市场技术上领先于竞争对手。
业内人士20日估计，SK海力士占据了高附加值产品HBM市场约70~80%的份额。
HBM市场现在处于起步阶段，规模本身并不大。尽管如此，作为行业第二大的SK海力士在高附加值DRAM市场上处于领先地位，这一事实在许多方面都具有重要意义。
HBM 是一种高性能产品，通过垂直连接多个 DRAM，与现有 DRAM 相比，它显着提高了数据处理速度。它是一种在缓冲芯片上堆叠多个DRAM的方法，缓冲芯片是一种临时存储设备。
HBM 用于人工智能 (AI)、超级计算机和高性能服务器。到目前为止，第一代（HBM）-第二代（HBM2）-第三代（HBM2E）-第四代（HBM3）正在按顺序开发。
由于人工智能 (AI) 和大数据的发展，全球大型科技公司正在努力寻找快速处理数据的方法。由于与现有 DRAM 相比，HBM 显着提高了数据处理速度和性能，因此预计其利用率将在未来增加。
6月，SK海力士宣布首次开始量产HBM3。
SK海力士相关人士表示，“去年10月开发出第一台HBM3后，7个月后交付给客户，在市场上处于领先地位。”
SK hynix 在 HBM 市场中脱颖而出的驱动力是 MR-MUF 技术。MR-MUF 是一种用于封装的工艺技术。MR-MUF是指将半导体芯片贴在电路上，并在堆叠芯片时用一种称为EMC的材料填充和粘贴芯片之间的空间的过程。
到目前为止，NCF技术已用于该过程。NCF是一种堆叠芯片的方法，在堆叠芯片时，在芯片之间使用一种薄膜。三星电子、SK海力士、美光等DRAM公司都应用了NCF技术。SK hynix 自第三代 HBM，HBM2E 以来一直在应用这种方法。
最初，三星电子等竞争对手预测不可能应用 MR-MUF。然而，SK hynix PKG 开发机构从一家名为 Namics 的日本公司接收材料，成功开发了该产品。据说，三星电子等DRAM大厂对此消息颇感意外。据说三星电子也在研究 MR-MUF 方法。
一位业内人士表示，“MR-MUF 方法的热导率是 NCF 的两倍，它会影响工艺速度和良率。
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