【三代网红】初级高适配+次级全集成，QR-Lock技术65W快充套片
时间：2022-10-25
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►►►三颗黄金搭档
01 PN8213：环路稳定更佳、QR-Lock初级控制器
PN8213实现真正QR-Lock技术，环路高度稳定，进口替换的适配度更高，最高支持500kHz工作频率，减小变压器及输出电容体积；典型转换效率大于93%，提升充电器功率密度。
PN8213与海外友商相比，具备“三高一低”压倒性优势替代，外围少2-4颗（OVP复用）、1/4负载转换效率优于1%以上，启动HV耐压高出100V，VDD耐压高出30V，具有市电欠压保护、输出过压保护、原副边防直通保护、过载保护、过温保护等。
PN8213内置800V高压启动管和X电容放电功能，待机功耗小于50mW。
02 PN8307P：全集成同步整流
PN8307P内置100V/7mΩ智能MOSFET，自适应死区控制，更低温升，超高性价比。
03 AP2080：兆赫兹升压供电宽输出（可选）
AP2080采用1.5MHz开关频率的COT控制技术，将储能电感体积降至0805封装，任何工况下可将PN8213 供电范围控制在11-40V，提高15-20V输出电压下的转换效率。
►►►封装及脚位配置图
►►►DEMO实物图
►►►方案典型应用图
►►►变压器设计
初级绕组电感量 (Lp) ：320±5%uH @10kHz
磁芯：ATQ23.7
►►►为什么锁谷底QR-Lock技术的工作频率更高？
PN8213采用精准锁谷底QR-Lock技术，工作频率可达到500kHz，显著提高充电器的功率密度。相比普通QR技术，为什么锁谷底QR的工作频率更高？其原理说明如下：
对于市面上常见普通QR，因谷底不锁定，开关频率受Tosc影响显著，以上图参数举例如下：平均开关周期为7.95us(126kHz，第2谷底QR)，振荡周期为1.5us，增加一个谷底则开关频率降低27.8kHz，减少一个谷底则开关频率增加56.7kHz。因此，为满足最高频率限制，市面上常见普通QR的平均开关频率相对不高。
对于PN8213所采用的的精准锁谷底QR-Lock技术，在一个负载点附近开关频率仅受Ipmax影响，可近似等效为定频控制。因此，精准锁谷底QR-Lock技术相比普通QR整体工作频率更高、环路稳定性更佳。
►►►平均效率
►►►空载待机功耗
►►►AP2080工作曲线
►►►功率管应力测试
测试条件：264Vac，20V3.25A
Q1 VDS
U1 VDS
►►►温度测试
90Vac，20V 3.25A
264Vac，20V 3.25A
备注：CH1：PN8213；CH2：Q1；CH4：T1 Core；CH5：T1 Wire；CH7：环温；CH8：PN8307P
►►►EMC测试
● EMI传导、辐射满足EN55032 Class B标准要求，裕量均大于6dB
● ESD满足IEC61000-4-2，8kV/15kV等级要求
● EFT满足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等级要求
● Surge满足IEC 61000-4-5:2005，2kV等级要求
● 交流绝缘满足3.75kVac要求
►►►应用要点
1、为提升系统ESD能力，PN8213 HV脚外接15kΩ限流电阻，PN8307P VDD脚放置RC滤波：R推荐值10-22Ω，C推荐值0.1uF
2、系统最高工作频率FSW可通过PN8213的FSET脚外接电阻RFSET设置：
3、为提高峰值电流控制的抗干扰性，PN8213 CS脚需放置RC滤波器：R推荐值470Ω， C推荐值100pF
4、PN8213 DMG脚上的偏电阻Rup和下偏电阻Rlow可实现线电压OCP补偿、输出OVP保护以及QR检测三大功能，设定依据如下：
5、AP2080 SW脚外接Boost电感推荐值3.3-4.7uH，0805封装；由于PN8213供电范围较宽(9-56V)，VDD外的Boost升压电路可根据输出电压范围选择添加或移除。
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