Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据

加州戈利塔—2012年12月19 日--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日发布了针对其氮化镓功率管的最新可靠性评估数据。评估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客户现场应用中失效的器件数。迄今为止，基于超过850亿小时的现场应用数据，该公司全系列产品的平均失效率(FIT)小于0.1。现有氮化镓功率解决方案的全功率可靠性评估中，这一失效率是业界报道过的最好的评估结果之一。tH7ednc

Transphorm在构建其氮化镓平台时考虑了可靠性的要求, 了解宽禁带技术进入市场时可靠性的重要。尽管氮化镓比硅管的性能更高，但是，如果器件在实际应用中失效，客户不会选择切换到新技术的氮化镓产品。2019年，Transphorm成为首家发布用于证实其产品可靠性的完整验证数据的氮化镓制造商。此后，该公司定期分享其氮化镓器件可靠性成果，以帮助潜在客户在选择半导体供应商时, 能根据数据做出正确的判断。Transphorm 2022年第一季度发布的最近一次FIT失效率小于0.3。tH7ednc

今年，为改进客户评估GaN FET器件，Transphorm迈出了新的一步。该公司将其可靠性数据细分成两类：tH7ednc

• 低功率：应用在功率级小于500瓦的氮化镓器件
• 高功率：应用于功率级大于500瓦的氮化镓器件

在不同功率级范围去评估器件性能，Transphorm的氮化镓功率管表现出与硅基功率器件极为相似的可靠性水平：tH7ednc

• 低功率：FIT失效率为0.06
• 高功率：FIT失效率为0.19

Transphorm公司业务发展及营销高级副总裁Philip Zuk表示：“我们的高压氮化镓器件为涵盖全功率级的广泛应用而设计，目前覆盖从45瓦到4千瓦的应用，并且，随着氮化镓器件切入新的市场，有望用于十千瓦以上领域。这显示了我们的技术拥有极广大的应用空间。然而，我们也意识到，仅发布一个囊括所有应用类型的可靠性评估，可能无法有效地协助客户。我们认为有必要为客户提供更细分的评估数据，满足不同的设计需求。为此，我们就可靠性评估做了低功率与高功率的区分。”tH7ednc

跨行业领导地位tH7ednc

凭藉器件良好的品质与可靠性，Transphorm继续使该公司成为高压氮化镓的领导者。该公司的氮化镓功率器件已经进入各种终端市场，如电源适配器、个人电脑、算力应用领域、数据中心、可再生能源和储能。tH7ednc

详细了解不同的SuperGaN技术的区别，请访问：https://www.transphormchina.com/en/gan-technology/tH7ednc

关于TransphormtH7ednc

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，Transphorm能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息，请访问www.transphormchina.com。欢迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上关注我们。tH7ednc