大联大世平集团推出基于onsemi SiC模块的5KW工业电源方案

2023年3月7日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NXH010P120MNF1 SiC模块和NCP51561隔离式双通道栅极驱动器的5KW工业电源方案。c8fednc

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图示1-大联大世平基于onsemi SiC模块的5KW工业电源方案的展示板图c8fednc

工业用电在全社会电力消耗中占有很大比重，因此在节能减排的大背景下，提升工业电源的转换效率、降低能源消耗是非常有必要的。而由于工业应用一般都具有较高的耗能需求，因此大都采用交流380V或交流480V的电源供电。在如此高压的环境下，功率器件选择有限，以往主要是以IGBT为主。但持续的高频、高温和大电流等工作条件，会使IGBT温度升高，影响转换效率。针对这个问题，大联大世平基于onsemi NXH010P120MNF1 SiC模块和NCP51561隔离式双通道栅极驱动器推出了5KW工业电源方案可以有效提高电源转换效率、降低能耗。c8fednc

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图示2-大联大世平基于onsemi SiC模块的5KW工业电源方案的场景应用图c8fednc

NXH010P120MNF1是一种SiC MOSFET功率器件整合模块，其包含一个半桥架构电路，该电路由两颗带反向二极管的10mR、1200V SiC MOSFET组成，并内置了一个负温系数（NTC）热敏电阻有助于温度监测。在模块中设有导热界面材料（Thermal Interface Material，TIM）或无TIM选项，可在更高电压环境下改善R_DS(ON)，提高效率或提高功率密度。c8fednc

NCP51561是隔离式双通道栅极驱动器，具有4.5A峰值拉电流和9A峰值灌电流，其被设计用于快速切换以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET电源开关。NCP51561提供较短且匹配的传播延迟，两个独立的5KVrms（UL1577等级）电隔离栅极驱动器通道可用于任何配置中，如两个低边、两个高边开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器。并提供其他重要的保护功能，例如用于栅极驱动器和使能功能的独立欠压锁定。c8fednc

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图示3-大联大世平基于onsemi SiC模块的5KW工业电源方案的方块图c8fednc

得益于onsemi SiC模块和栅极驱动器的完美配合，本方案可提供出色的开关性能和增强的散热性能，并且能够在实现更高能效和功率密度的同时，降低系统体积和重量。c8fednc

核心技术优势：c8fednc

• SiC MOSFET相对于IGBT技术优势：
  • 更低的开关损耗：基于材料特性具备较低反向恢复时间，可快速关断SiC MOSFET的导通电流，且由于低栅极启动电荷和低反向恢复时间，所以能快速开启SiC MOSFET。
  • 更低的传导损耗：基于低导通电压可改善IGBT导通前的状态，配合较低的内阻温度漂移系数可在较高的功率或温度环境下工作，不会因太大的内阻变化而造成过多功率损耗。
• SiC MOSFET相对于MOSFET技术优势：
  • 10倍介电击穿场强度；
  • 2倍电子饱和/移动速度；
  • 3倍能隙；
  • 3倍热传导率。

方案规格：c8fednc

• 适用交流480V以下电源系统；
• 高度整合的功率驱动模块；
• 2个半桥隔离式栅极驱动器Source 4.5A/Sink 9A，具有5KV绝缘；
• 半桥隔离栅极驱动器内置欠压保护功能；
• 半桥隔离栅极驱动器共模抗噪能力>200 V/ns；
• 半桥隔离栅极驱动器可设置死区时间；
• 模组单体内建过温监测功能；
• 实际电气驱动功能及规格需搭配外置的微处理器，配合所需功能的电路来决定最终功能。

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关于大联大控股：c8fednc

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大联大控股是全球领先、亚太区最大的半导体元器件分销商*，总部位于台北(TSE:3702)，旗下拥有世平、品佳、诠鼎及友尚，员工人数约5,000人，代理产品供货商超250家，全球79个分销据点，2022年营业额达259.7亿美金。大联大开创产业控股平台，专注于国际化营运规模与在地化弹性，长期深耕亚太市场，以「产业首选．通路标杆」为愿景，全面推行「团队、诚信、专业、效能」之核心价值观，连续22年蝉联「优秀国际品牌分销商奖」肯定。面临新制造趋势，大联大致力转型成数据驱动(Data-Driven)企业，建置在线数字化平台─「大大网」，并倡导智能物流服务(LaaS, Logistics as a Service)模式，协助客户共同面对智能制造的挑战。大联大从善念出发、以科技建立信任，期望与产业「拉邦结派」共建大竞合之生态系，并以「专注客户、科技赋能、协同生态、共创时代」十六字心法，积极推动数字化转型。(*市场排名依Gartner 2023年03月公布数据)c8fednc