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希荻微推出新型双相40W电荷泵充电芯片

2023-03-16 希荻微 阅读:
希荻微宣布推出一款用于单节锂离子电池和锂聚合物电池的低压快充芯片——HL7139A。

日前,中国领先的模拟芯片厂商——广东希荻微电子股份有限公司(下称“希荻微”)宣布推出一款用于单节锂离子电池和锂聚合物电池的低压快充芯片——HL7139A。Pjtednc

一、HL7139A特性简述Pjtednc

高可靠性的AMR和工作范围:Pjtednc

  • VBUS引脚支持37V AMR
  • VIN引脚支持22V AMR
  • VOUT、BATP支持7V AMR

内置外部输入NFET控制Pjtednc

宽范围的工作电压Pjtednc

  • 3V至11.7V 输入电压
  • 5.5V 最大输出电压

两种转换模式Pjtednc

  • 2:1充电泵模式(CP模式)

优化为50%的占空比Pjtednc

  • 1:1旁路模式(BP模式)

高效率电荷泵Pjtednc

  • 外接电容每相2x22uF时,VOUT=4.5V@5A的效率为97.4%
  • 外接电容每相3x22uF时,VOUT = 4.5V@5A的效率为97.6%

通过QRB FET控制充电操作的调节回路Pjtednc

开关频率可选择500KHz至1.6MHzPjtednc

通过展频来减少EMIPjtednc

集成12位ADC(通道)Pjtednc

集成定制的专有协议Pjtednc

集成全面保护功能Pjtednc

采用 36个焊球的WLCSP 2.65毫米 x 2.61毫米封装Pjtednc

二、HL7139A工作模式介绍Pjtednc

HL7139A中的开关电容转换器架构和器件中集成的FET,经过优化使得器件适合在50%的占空比下运行电荷泵(CP)模式。2:1的CP模式允许输出电压(VOUT)约为输入电压(VIN)的一半,从而减少了输入电源线的损耗,并限制了应用中的温升。双相架构还降低了输入电容要求和输入电压纹波。此外,HL7139A还具有旁路(BP)模式,BP模式允许输入电压(VIN)正向通过内部功率FET到输出电压(VOUT)。Pjtednc

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图一 HL7139A应用图Pjtednc

HL7139A 通过控制 QRB FET 提供 CC(恒定电流)和CV(恒定电压)调节,以确保安全运行。该芯片包括OTP(过温保护),VIN UVP/OVP, IIN OCP/UCP, VOUT OVP/UVP, VBAT OVP, IBAT OCP, PMID 到 VOUT OV/UV, CFLY SCP(短路保护), VIN SCP, VOUT SCP和看门狗定时器。此外,HL7139A还集成12位ADC,可以为优化充电控制提供宝贵信息。Pjtednc

三、HL7139A应用方案的优势Pjtednc

1. 33W 应用方案Pjtednc

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图二 友商1对比图Pjtednc

1) 图二,在相同CFLY数量的应用下,相对与友商1,HL7139A效率提高0.5%(最大充电电流达到8A),热性能提高13%,达到了业界领先的充电效率,解决了消费者充电时间过长的痛点,实现更少的热量损耗、更加节能环保。Pjtednc

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图三 友商2对比图Pjtednc

2) 图三,在相同CFLY数量的应用下,相对与友商2,HL7139A的效率提高1.3%,热性能提高45%;在使用2pcs(1pcs/PH)CFLY应用下,HL7139A的效率提高1.0%;Pjtednc

    在使用1*22uF/CFLY的情况下,HL7139A仍能提高0.5%的效率。Pjtednc

2. 66W 应用方案Pjtednc

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图四 尺寸对比图Pjtednc

在66W并联充电应用方案中,HL7139A的PCB整体尺寸在比友商同类产品小约30%,还可显著实现更快速、更低功耗的电池充电功能。因为更小尺寸的整体解决方案,得以赋能产品更高的系统级设计灵活性。Pjtednc

四、总结Pjtednc

希荻微推出的高效率大电流电荷泵充电芯片HL7139A,兼容电荷泵快充和低压直充功能,其中,在电荷泵模式下最大充电电流达到8A,凭借优异的效率表现以及全方位的保护机制,成为智能手机、平板电脑和移动物联网设备等紧凑型电子设备的最佳选择。目前,HL7139A已同步出货多家知名手机厂商。Pjtednc

关于希荻微Pjtednc

广东希荻微电子股份有限公司(688173.SH)是一家中国领先的模拟芯片厂商,专注于开发模拟和电源管理集成电路,实现高能效的智能系统,致力于为客户提供覆盖多元化终端应用的全系列模拟芯片产品线。自2012年以来,希荻微一直在推动移动、物联网和汽车电源系统的创新,构建了能够与国际模拟芯片龙头厂商相竞争的高性能产品线,赢得了国内外多家主流客户的高度认可,实现了科技成果与产业的深度融合,为高性能模拟集成电路领域实现自主可控做出了重大贡献。更多信息请访问: https://www.halomicro.cn/.Pjtednc

责编:Franklin
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