Qorvo发布TOLL封装的大功率5.4mΩ 750V SiC FET
时间：2023-03-21
作者：Qorvo
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中国北京，2023年3月21日——全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装（TOLL）封装技术，其高性能具体表现在：750V SiC FET拥有全球最低的5.4mΩ的导通阻抗。这也是Qorvo公司750V SiC FET产品TOLL封装系列中的首发产品，其导通电阻范围从5.4mΩ到60mΩ。这些器件非常适用于空间极其有限的应用场景，如从几百瓦到千万瓦的AC/DC电源以及高达100A的固态继电器和断路器。有助于帮助客户减小体积尺寸，提高功率密度。
在600/750V这一层次电压功率FET类别中，Qorvo第四代（Gen 4） SiC FET产品的主要性能：比如导通电阻和输出电容方面领先业界。此外，在TOLL封装中，Qorvo的器件具有最低5.4mΩ的导通电阻，比目前市场同类产品中最好的Si MOSFET、SiC MOSFET和GaN晶体管的导通阻抗还要低上4-10倍。SiC FET的750V额定电压也比其它的一些替代技术高100-150V，为客户产品应用中的开关管电压瞬变尖峰提供了更多的设计裕量。
Qorvo电源器件事业部首席工程师Anup Bhalla表示：“在TOLL封装中推出我们的5.4mΩ Gen4 SiC FET旨在为行业提供最佳性能器件以及多种器件选择，为此我们已迈出重要的一步，尤其对于从事工业应用的客户，他们需要这种灵活性和提升成本效益的电源设计组合。”
TOLL封装与D2PAK表面贴装器件相比，尺寸减少了30％，高度为2.3mm，相当于同类产品的一半。尽管尺寸缩小，但先进的制造技术实现了行业领先的0.1℃/W热阻（从结到壳）。导通直流电流额定值最大为120A，此时对应的壳温为144℃，在0.5ms时间内，脉冲冲击电流最大值可以达到588A。结合极低的导通电阻和出色的瞬态散热能力，Qorvo的750V TOLL封装产品的“I2t”值比同一封装的Si MOSFET高出约8倍，有助于提高客户产品的鲁棒性和抗瞬态过载能力，同时也简化了设计。TOLL封装还提供了开尔文连接以实现可靠的高速转换。
这些第四代SiC FET利用Qorvo独特的Cascode（共源共栅）电路结构，将SiC JFET与Si MOSFET共同封装在一个器件内部，以发挥宽禁带开关技术的高效率优势和Si MOSFET简化的门级驱动的优势。
现在可使用Qorvo免费在线工具FET-JET计算TOLL封装的Gen4 5.4mΩ SiC FET，该计算器可以立即评估各种AC/DC和隔离/非隔离的DC/DC转换器拓扑连接的效率、元器件损耗和结温上升。可将单个和并联的器件在用户指定的散热条件下进行对比，以获取最佳解决方案。
如欲了解更多Qorvo电源应用的先进解决方案，请访问https://www.qorvo.com/innovation/power-solutions。
3月19日至23日，该系列产品于位于佛罗里达州奥兰多举行的应用电源电子产品会议（APEC）上展示，Qorvo展位号632。如欲了解有关Qorvo在APEC上展出的更多创新技术，或者欲与Qorvo安排现场会议和采访，请访问https://www.qorvo.com/newsroom/trade-shows/apec-2023。
关于Qorvo
Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）提供各种创新半导体解决方案，致力于让我们的世界更美好。我们结合产品和领先的技术优势、以系统级专业知识和全球性的制造规模，快速解决客户最复杂的技术难题。Qorvo面向全球多个快速增长的细分市场提供解决方案，包括消费电子、智能家居/物联网、汽车、电动汽车、电池供电设备、网络基础设施、医疗保健和航空航天/国防。访问www.qorvo.com，了解我们多元化的创新团队如何连接地球万物，提供无微不至的保护和源源不断的动力。
Qorvo是Qorvo, Inc.在美国和其他国家/地区的注册商标。
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