Diodes公司推出功率密度更高的工业级碳化硅MOSFET

【2023年4月13日美国德州普拉诺讯】Diodes公司(Diodes)(Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC)系列最新产品：DMWS120H100SM4 N通道碳化硅MOSFET。这款器件可以满足工业电机驱动、太阳能逆变器、数据中心和电信电源、DC-DC转换器和电动汽车电池充电器等应用，对更高效率与更高功率密度的需求。9qbednc

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DMWS120H100SM4可在高电压(1200V)和大漏极电流(可达37A)的条件下工作，同时维持低热导率(R_θJC=0.6℃/W)，非常适合用于在恶劣环境中工作的应用。这款MOSFET的R_DS(ON)(典型值)很低，仅80mΩ(对于15V的栅极驱动)，能将传导耗损降至最低，并提高效率。而这款器件的栅极电荷仅52nC，可减少开关耗损与降低封装温度。9qbednc

本产品是市场上首款采用TO247-4封装的碳化硅MOSFET。额外的开尔文感应引脚可以接到MOSFET的源极，以优化开关性能，达到更高的功率密度。9qbednc

关于Diodes Incorporated9qbednc

Diodes公司(Nasdaq：DIOD)是一家标准普尔小型股600指数和罗素3000指数成员公司，为汽车、工业、计算、消费电子及通信市场的全球公司提供高质量半导体产品。我们拥有丰富的产品组合以满足客户需求，内容包括分立、模拟、逻辑与混合信号产品以及先进的封装技术。我们广泛提供特殊应用解决方案与解决方案导向销售，加上全球32个据点涵盖工程、测试、制造与客户服务，使我们成为高产量、高增长的市场中成为优质供货商。详细信息请参阅www.diodes.com。9qbednc

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