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东芝推出小型光继电器,高速导通有助于缩短半导体测试设备的测试时间

2023-05-25 东芝 阅读:
东芝今日宣布,推出采用S-VSON4T封装的光继电器——“TLP3476S”,其导通时间与东芝当前产品TLP3475S相比缩短了一半。

中国上海2023525——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用S-VSON4T封装的光继电器——“TLP3476S”,其导通时间与东芝当前产品TLP3475S相比缩短了一半。该产品于今日开始支持批量出货。M4zednc

M4zednc

与东芝当前的产品TLP3475S相比,TLP3476S运行速度更快、结构更紧凑。该产品通过提高红外LED的光输出并优化光电探测器件(光电二极管阵列)的设计,可实现高效的光耦合,也提高了运行速度,将导通时间最大值缩短至0.25ms,时间为TLP3475S的一半。此外,由于采用了尺寸更小、外形更纤薄的S-VSON4T封装(最大厚度为1.4mm),TLP3476S的厚度比当前产品减小了20%。这有助于减少需要多个电路板的设备的尺寸。M4zednc

TLP3476S适用于继电器数量多,并需要更短开关时间的半导体测试设备电路。M4zednc

应用M4zednc

- 半导体测试设备(高速存储器测试设备、高速逻辑测试设备等)M4zednc

- 探测卡M4zednc

- 测量设备M4zednc

特性M4zednc

- 小型S-VSON4T封装:1.45mm×2.0mm(典型值),厚度=1.4mm(最大值)M4zednc

- 高速导通时间:tON=0.25ms(最大值)M4zednc

主要规格M4zednc

(Ta=25℃)M4zednc

器件型号 TLP3476S
封装 名称 S-VSON4T
尺寸(mm) 1.45×2.0(典型值),厚度=1.4(最大值)
绝对最大额定值 断态输出端电压VOFF(V) 60
通态电流ION(A) 0.4
通态电流(脉冲)IONP(A) 1.2
工作温度Topr(℃) -40至110
耦合电气特性 触发LED电流IFT(mA) 最大值 3.0
导通电阻RON(Ω) 典型值 1.1
最大值 1.5
电气特性 输出电容COFF(pF) 最大值 20
开关特性 导通时间tON(ms) @RL=200Ω、VDD=20V、IF=5mA 最大值 0.25
关断时间tOFF(ms) 0.2
隔离特性 隔离电压BVS(Vrms)   最小值 500
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TLP3476SM4zednc

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关于东芝电子元件及存储装置株式会社M4zednc

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商,公司累积了半个多世纪的经验和创新,为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。M4zednc

公司22,200名员工遍布世界各地,致力于实现产品价值的最大化,东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作,旨在促进价值共创,共同开拓新市场,公司现已拥有超过8,598亿日元(62亿美元)的年销售额,期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。M4zednc

如需了解有关东芝电子元件及存储装置株式会社的更多信息,请访问以下网址:https://toshiba-semicon-storage.comM4zednc

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