Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650V E系列功率MOSFET

美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海——2023年9月4日——日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新型第四代650V E系列功率MOSFET——SiHP054N65E，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。Vishay Siliconix n沟道SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）。Bodednc

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Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着SiHP054N65E的推出，以及其他第四代600V E系列器件的发布，Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求，包括功率因数校正（PFC）和后面的DC/DC转换器砖式电源。典型应用包括服务器、边缘计算和数据存储；UPS；高强度放电（HID）灯和荧光镇流器；太阳能逆变器；焊接设备；感应加热；电机驱动；以及电池充电器。Bodednc

SiHP054N65E采用Vishay先进的高能效E系列超级结技术，10V下典型导通电阻仅为0.051Ω，从而提高额定功率支持2kW以上的各种应用，器件满足符合开放计算项目Open Rack V3（ORV3）标准的需求。此外，这款MOSFET超低栅极电荷下降到72nC。器件的FOM为3.67Ω*nC，比同类接近的竞品MOSFET低1.1%。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而达到节能效果，提高能效。器件满足服务器电源钛效应的特殊要求，或通信电源达到96%的峰值效率。Bodednc

日前发布的MOSFET有效输出电容C_o(er)和C_o(tr)典型值分别仅为115pF和772pF，可改善硬开关拓扑结构开关性能，如PFC、半桥和双开关顺向设计。器件的电阻与C_o(tr)乘积FOM低至5.87*pF达到业内先进水平。SiHP054N65E采用TO-220AB封装，提高了dv/dt耐用性，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，耐受雪崩模式下电压瞬变，并保证极限值100%通过UIS测试。Bodednc

SiHP054N65E现可提供样品并已实现量产，关于供货周期的信息，请与当地销售部联系。Bodednc

VISHAY简介Bodednc

Vishay是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.^®。Vishay Intertechnology, Inc.是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站www.vishay.com。Bodednc

The DNA of tech^®是Vishay Intertechnology的注册商标。Bodednc