意法半导体GaN驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性

2023年9月6日，中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。cF0ednc

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这款单通道驱动器可连接最高1200V的电压轨，而STGAP2GSN 窄版可连接高达 1700V的电压轨，栅极驱动电压最高15V。该驱动器能够向所连接的 GaN 晶体管栅极灌入和源出最高3A的电流，即使在高工作频率下也能精准控制功率晶体管的开关操作。cF0ednc

STGAP2GS 跨越隔离势垒的传播延时极短，只有 45ns，动态响应快速。此外，在整个工作温度范围内，dV/dt 瞬变电压耐量为 ±100V/ns，可防止晶体管栅极电流发生不必要的变化。STGAP2GS 具有独立的灌电流和源电流引脚，可轻松调整栅极驱动操作方式和性能。cF0ednc

STGAP2GS 驱动器无需使用光学隔离分立元件，方便消费电子、工业控制等产品设备采用高效、稳健的 GaN 技术。目标应用包括计算机服务器电源、工厂自动化设备、电机驱动器、太阳能发电、风力发电系统、家用电器、家用电风扇和无线充电器。cF0ednc

除了集成电流隔离功能外，新驱动器还具有内置系统保护功能，包括针对 GaN 技术优化的热关断和欠压锁定 (UVLO)，确保驱动器的可靠性和耐变性。cF0ednc

EVSTGAP2GS和 EVSTGAP2GSN 两个演示板分别集成标准版STGAP2GS 和窄版 STGAP2GSN 与 ST 的 SGT120R65AL 75mΩ、650V 增强型 GaN 晶体管，帮助用户评估驱动器的功能。cF0ednc

采用 SO-8 宽体封装的 STGAP2GS 和 SO-8窄体封装的STGAP2GSN现已上市。cF0ednc

详情访问www.st.com/stgap2gs.cF0ednc

关于意法半导体cF0ednc

意法半导体拥有5万名半导体技术的创造者和创新者，掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商(IDM)，意法半导体与二十多万家客户、数千名合作伙伴一起研发产品和解决方案，共同构建生态系统，帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇，满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能，电源和能源管理更高效，物联网和互联技术应用更广泛。意法半导体承诺将于2027年实现碳中和(适用于范围1和2，部分适用于范围3)。详情请浏览意法半导体公司网站：www.st.comcF0ednc