Micron Technology, Inc.于2024年2月28日宣布开始送样增强版通用闪存(UFS)4.0 移动解决方案,该方案具有突破性专有固件功能并采用业界领先的紧凑型UFS 封装(9 x 13mm)。基于先进的232层3D NAND技术,美光UFS 4.0解决方案可实现高达 1 TB容量,其卓越性能和端到端技术创新将助力2旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的使用体验。
美光UFS 4.0的顺序读取速度和顺序写入速度分别高达 4300 MBps和4000 MBps,较前代产品相比性能[]提升一倍,为数据密集型应用提供了更出色的使用体验。凭借高速性能,用户能更快地启动常用的生产力、创意和新兴 AI 应用。生成式 AI 应用中的大语言模型加载速度可提高 40%[],为用户与AI 数字助手的对话提供更流畅的使用体验。
美光移动事业部总经理兼企业副总裁Mark Montierth 表示:“美光最新推出的UFS 4.0 解决方案采用业界领先的紧凑型UFS封装,在降低功耗的同时可提供一流的存储性能。该解决方案凭借突破性的固件升级,使智能手机始终保持出厂时的流畅运行状态,同时通过更强的性能、灵活性和可扩展性,进一步提升了移动存储性能标准,助力智能手机加速普及生成式 AI 功能。”
紧凑的封装设计为超薄节能型智能手机奠定基础
自去年 6 月推出11mm x 13mm封装规格的UFS 4.0解决方案后,美光进一步缩小UFS 4.0的外形规格以实现更紧凑的 9mm x 13mm 托管型 NAND封装。尺寸更小巧的UFS 4.0为下一代折叠及超薄智能手机设计带来了更多可能性,制造商可利用节省出来的空间放置更大容量的电池。此外,新版UFS 4.0解决方案可将能效提升 25%[],使用户在运行 AI、AR、游戏和多媒体等耗电量高的应用时获得更长的续航时间。
美光专有固件创新,进一步提升移动闪存标准
此次增强版 UFS 4.0基于美光去年量产的 UFS 4.0产品,可提供多项专有固件更新功能,包括:
高性能模式(HPM):该专有功能通过优先处理关键任务而非后台任务,以提升智能手机在密集使用期间的性能。开启 HPM 后,存储访问速度可提升一倍,助力手机在启动多应用时速度提升超过 25% []。
一键刷新(OBR):OBR 功能通过自动清理和优化数据,帮助用户获得更持久的卓越性能,使智能手机始终保持宛如全新状态的流畅运行体验。更快的读/写性能可提升10% 的应用启动速度[],实现更快的相册访问速度和流畅的多任务处理,为用户提供更好的体验。
分区 UFS(ZUFS):美光 UFS 4.0 现支持主机指定不同的数据存储区域,以提升设备的长期使用体验。ZUFS 能够有效应对写入放大现象,在不降低设备性能的前提下,尽可能利用有限的编程和擦除周期,从而延长智能手机使用寿命,并长期保持流畅的使用体验。
美光工程师团队在其全球实验室中通过预测新兴使用场景、模拟现实应用环境以及与客户密切协作收集反馈,成功打造出这些创新的固件功能。在位于美国、中国和韩国的客户联合实验室中,美光与智能手机厂商密切合作,通过了解厂商面临的痛点问题,开发具有针对性的解决方案来解决技术瓶颈。
供货情况
美光增强版 UFS 4.0 现已出样,并提供 256 GB、512GB 和 1TB 的容量选项。扩展的容量可支持旗舰智能手机容纳设备端 AI 助手分析和生成的所有数据,以及用户不断增加的图片素材,释放AI的优势并获得比云存储更高的安全性。通过本地数据存储,用户能够在离线或网络信号不稳定的情况下随时访问个人数据,从强大的AI功能中受益。
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