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东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员,其将助力工业电源设备实现高效率

2024-09-26 东芝 阅读:
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品,为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗···

中国上海,2024925——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品,为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品,其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。9U6ednc

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最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品,其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基(JBS)结构[1]。在结势垒中使用新型金属,有助于这些新产品实现业界领先的[2]1.27 V(典型值)低正向电压、低总电容电荷和低反向电流。这可显著降低较大电源应用中的设备功耗。9U6ednc

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东芝将继续壮大其SiC电源器件的产品线,并将一如既往地专注于提高可降低工业电源设备功耗的效率。9U6ednc

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  • 应用:
  • 光伏逆变器
  • 电动汽车充电站
  • 工业设备UPS的开关电源

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  • 特性:
  • 第3代1200 V SiC SBD
  • 业界领先的[2]低正向电压:VF=1.27 V(典型值)(IF=IF(DC))
  • 低总电容电荷:TRS20H120H的QC=109 nC(典型值)(VR=800 V,f=1 MHz)
  • 低反向电流:TRS20H120H的IR=2.0 μA(典型值)(VR=1200 V)

主要规格:9U6ednc

(除非另有说明,Ta=25 °C)9U6ednc

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器件型号9U6ednc

封装9U6ednc

绝对最大额定值9U6ednc

电气特征9U6ednc

样品查看与供货情况9U6ednc

重复峰值反向电压VRRM(V)9U6ednc

正向DC电流IF(DC)(A)9U6ednc

非重复峰值正向浪涌电流IFSM(A)9U6ednc

正向电压9U6ednc

(脉冲测量)VF(V)9U6ednc

反向电流9U6ednc

(脉冲测量)IR(μA)9U6ednc

总电容电荷9U6ednc

QC9U6ednc

(nC)9U6ednc

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温度条件9U6ednc

Tc(°C)9U6ednc

f=50 Hz9U6ednc

(半正弦波,t=10 ms),Tc=25 °C9U6ednc

IF=IF(DC)9U6ednc

VR=1200 V9U6ednc

VR=800 V,f=1 MHz9U6ednc

典型值9U6ednc

典型值9U6ednc

典型值9U6ednc

TRS10H120H9U6ednc

TO-247-2L9U6ednc

12009U6ednc

109U6ednc

1609U6ednc

809U6ednc

1.279U6ednc

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在线购买9U6ednc

TRS15H120H9U6ednc

159U6ednc

1579U6ednc

1109U6ednc

1.49U6ednc

899U6ednc

在线购买9U6ednc

TRS20H120H9U6ednc

209U6ednc

1559U6ednc

1409U6ednc

2.09U6ednc

1099U6ednc

在线购买9U6ednc

TRS30H120H9U6ednc

309U6ednc

1509U6ednc

2109U6ednc

2.89U6ednc

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在线购买9U6ednc

TRS40H120H9U6ednc

409U6ednc

1479U6ednc

2709U6ednc

3.69U6ednc

2209U6ednc

在线购买9U6ednc

TRS10N120HB9U6ednc

TO-2479U6ednc

5(每个引脚)9U6ednc

10(双引脚)9U6ednc

1609U6ednc

40(每个引脚)9U6ednc

80(双引脚)9U6ednc

1.279U6ednc

(每个引脚)9U6ednc

0.59U6ednc

(每个引脚)9U6ednc

309U6ednc

(每个引脚)9U6ednc

在线购买9U6ednc

TRS15N120HB9U6ednc

7.5(每个引脚)9U6ednc

15(双引脚)9U6ednc

1579U6ednc

55(每个引脚)9U6ednc

110(双引脚)9U6ednc

0.79U6ednc

(每个引脚)9U6ednc

439U6ednc

(每个引脚)9U6ednc

在线购买9U6ednc

TRS20N120HB9U6ednc

10(每个引脚)9U6ednc

20(双引脚)9U6ednc

1559U6ednc

70(每个引脚)9U6ednc

140(双引脚)9U6ednc

1.09U6ednc

(每个引脚)9U6ednc

579U6ednc

(每个引脚)9U6ednc

在线购买9U6ednc

TRS30N120HB9U6ednc

15(每个引脚)9U6ednc

30(双引脚)9U6ednc

1509U6ednc

105(每个引脚)9U6ednc

210(双引脚)9U6ednc

1.49U6ednc

(每个引脚)9U6ednc

809U6ednc

(每个引脚)9U6ednc

在线购买9U6ednc

TRS40N120HB9U6ednc

20(每个引脚)9U6ednc

40(双引脚)9U6ednc

1479U6ednc

135(每个引脚)9U6ednc

270(双引脚)9U6ednc

1.89U6ednc

(每个引脚)9U6ednc

1089U6ednc

(每个引脚)9U6ednc

在线购买9U6ednc

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注:9U6ednc

[1] 改进型结势垒肖特基(JBS)结构:该结构将混合式PiN肖特基(MPS)结构(可在大电流下降低正向电压)整合在JBS结构(不仅可降低肖特基接口的电场,而且还可减少电流泄漏)中。9U6ednc

[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的东芝调查。9U6ednc

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如需了解新产品的更多信息,请访问以下网址:9U6ednc

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https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/diodes/sic-schottky-barrier-diodes/detail.TRS10H120H.html9U6ednc

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SiC肖特基势垒二极管9U6ednc

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SiC电源器件9U6ednc

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*其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。9U6ednc

*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,但如有变更,恕不另行通知。9U6ednc

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关于东芝电子元件及存储装置株式会社9U6ednc

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商,公司累积了半个多世纪的经验和创新,为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。9U6ednc

公司22,200名员工遍布世界各地,致力于实现产品价值的最大化,东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作,旨在促进价值共创,共同开拓新市场,公司现已拥有超过7,971亿日元(49.6亿美元)的年销售额,期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。9U6ednc

如需了解有关东芝电子元件及存储装置株式会社的更多信息,请访问以下网址:https://toshiba-semicon-storage.com9U6ednc

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