灿芯半导体推出基于中芯国际14nm FinFET工艺的ONFI 4.2 IO和物理层IP

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中国上海 — 2021年6月3日 — 定制芯片设计、生产及IP授权的高新技术企业——灿芯半导体日前宣布推出基于中芯国际14nm FinFET工艺的ONFI 4.2 IO及物理层IP，该IO支持SDR/NV-DDR/NV-DDR2 1.8V, NV-DDR3 1.2V, 该物理层IP采用全数字设计，具有低功耗、面积小等特点。V2eednc

此次推出的ONFI物理层IP可应用于开放式NAND闪存界面，兼容ONFI 4.2/4.1/4.0/3.2等标准，目前该IO及物理层IP已经在中芯国际40nm及14nm FinFET工艺上通过硅验证。V2eednc

ONFI 4.2物理层IP具有如下特点：V2eednc

• 基于中芯国际14nm FinFET、40LL工艺，并通过流片验证测试
• 支持14nm FinFET NV_DDR3 1.2V Max 1600Mbps; NV_DDR21.8V Max 800Mbps
• 支持40LL Max 800Mbps
• 支持芯片内终端匹配电阻(On-Die Termination; ODT)及支持阻抗校准
• 遵循国际开放式NAND闪存界面规范,支持ONFI4.2/ 4.1/4.0/3.2等标准
• 支持DQS Gate、Write、Read训练
• 采用全数字延迟单元(DLL)
• 采用APB寄存器接口

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“基于10多年定制芯片设计和IP研发的成功经验，灿芯半导体紧跟中芯国际先进工艺，持续为客户创造价值，”灿芯半导体工程副总裁刘亚东表示，“基于中芯国际14nm FinFET工艺的ONFI IP已通过流片验证，将助力客户在中芯国际14nm先进工艺上快速实现量产。”V2eednc

关于灿芯半导体V2eednc

灿芯半导体是提供定制芯片设计、生产及IP授权的高新技术企业，为客户提供从芯片架构设计到芯片成品的一站式服务，致力于为客户提供高价值、差异化的解决方案。V2eednc

灿芯半导体的“YOU”系列IP和YouSiP（Silicon-Platform）解决方案，经过完整的流片测试验证，可广泛应用于5G、AI、高性能计算、云端及边缘计算、网络、物联网、工业互联网及消费类电子等领域。其中YouSiP方案可以为系统公司、无厂半导体公司提供原型设计参考，从而快速赢得市场。V2eednc

灿芯半导体成立于2008年，公司总部位于中国上海，下设合肥、苏州、天津、成都四家子公司，同时还在美国和台湾地区等地设立销售办事处，为全球客户提供全方位的优质服务。V2eednc

详细信息请参考灿芯半导体网站www.britesemi.comV2eednc

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责编：Johnson ZhangV2eednc