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长江存储的DBI技术用于3D NAND

2021-12-20 阅读:
这种键合方法用于基于 3D NAND 的设计,为高性能 NAND 闪存 IC 提供更高的密度。

XperiHolding Corporation 和长江存储技术正在合作改进基于 3D NAND 的内存。基于 NAND 的存储是一种非易失性技术,其中读/写功能类似于 NAND 门的行为。这种类型的技术是最快的固态设备 (SSD) 内存拓扑结构之一。 VCvednc

长江存储有一种称为直接键合互连 (DBI) 的新型芯片制造方法,该方法涉及用于集成电路 (IC) 设计的混合铜键合。这种键合方法用于基于 3D NAND 的设计,为高性能 NAND 闪存 IC 提供更高的密度。VCvednc

VCvednc

晶圆到晶圆介电键合工艺与低温混合键合工艺VCvednc

此外,DBI 技术使存储器和逻辑电路能够分离。这很重要,因为它们都可以利用单独的晶圆工艺来提供更好的整体设计。VCvednc

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责编:胡安VCvednc

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