“中国IC设计成就奖”提名产品简介：IPD滤波器IPD Filter优势

奖项类别：RF无线ICVFIednc

提名公司：芯和半导体科技（上海）有限公司VFIednc

提名产品：IPD滤波器IPD FilterVFIednc

推荐理由/产品简介：VFIednc

芯和在射频前端芯片及模组的设计方面，经过十年的产品研发，形成了在集成无源器件IPD和系统级封装SiP设计领域雄厚的开发经验和成功案例，并被Yole评选为全球IPD滤波器领先供应商。VFIednc

VFIednc

和半导体的IPD滤波器产品产品采用了集成无源器件IPD的晶圆工艺，采用光刻技术蚀刻出不同图形，形成不同的无源射频器件，实现高密度集成；这种IPD技术可以给电子系统带来多种好处，包括：节省电路板空间、可定制化、电性能更好、一致性更好、成本更低、IP保护、产品链供应和可靠性更好，逐渐成为射频前端模组首选滤波器解决方案。VFIednc

IPD滤波器被认为是在sub-6G和毫米波频段上的最佳解决方案。它不仅克服了BAW、SAW无法很好支持5G宽带的劣势，而且与LTCC分离器件相比，IPD通常以裸芯片形式出现，有更好的一致性、更强的集成性、更小的尺寸，在成本上也有优势。VFIednc

此产品工艺可以制作高精度、高密度（相比LTCC）的电容器，封装RDL工艺可以提供厚铜及进行三维堆叠制作3D电感，可以在有限的面积下提高电感量及Q值。其主要特点为高阻硅、厚铜工艺、MIM电容等。采用高阻硅作为衬底在保证了与硅工艺兼容的同时，实现了射频器件的低损耗。同时，随着单晶硅制备工艺的进步，可以通过区熔法或外延工艺获得高阻硅晶圆，电阻率可以高于2500Ω•cm，满足高频微波信号的传输。VFIednc

产品使用双层厚铜，使射频走线的损耗更低，电感Q值也大大提高；MIM电容层由于使用了较薄的介质层所以具有较高的电容密度，大大降低器件的高度，缩小器件面积，使成本更低，更适合大规模量产，集成到各种射频模组之中。VFIednc

芯和半导体IPD滤波器获得了市场的高度认可，2021年月平均出货量达到6000万颗，迅速占领了5G滤波器市场，截至2021年11月，总出货量接近8亿颗。VFIednc

“中国IC设计成就奖” 评选并表彰业内优秀的中国 IC 设计公司、上游服务供应商和热门IC产品。2022年是行业评选的第20年，每年提名的热门IC产品都是工程师了解行业最新动态的绝佳资料，“芯品汇”栏目特地汇聚整理了今年提名产品的性能信息，希望能为工程师设计提供参考。更多提名产品，请访问：https://iic.eet-china.com/list.html。最终获奖产品将在4月20日-21日在上海国际会议中心盛大举行的2022国际集成电路展览会暨研讨会IIC Shanghai 2022期间揭晓，欢迎免费报名参观。VFIednc