“中国IC设计成就奖”提名产品简介：4Gb 3.3V 串行 NAND FlashD S35Q4GM-IB优势

奖项类别：存储器2u2ednc

提名公司：东芯半导体股份有限公司2u2ednc

提名产品：4Gb 3.3V 串行 NAND FlashD S35Q4GM-IB2u2ednc

推荐理由/产品简介：2u2ednc

该产品采用38nm工艺制程，同时2xnm制程工艺产品达到可量产水平，持续推进国内先进制程的同时提升产品在可靠性、功耗等性能方面的表现。2u2ednc

2u2ednc

单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，并带有内部ECC模块，使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，又提升了稳定性。2u2ednc

可提供3.3V/1.8V两种电压，不仅能满足常规应用，也使其能在目前日益普及的移动互联网和物联网设备中保持低功耗，延长待机时间。同时凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点，被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及物联网等领域，被主要应用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒和智能手环等终端产品。2u2ednc

该产品相较之前产品不但提高了工艺制程，且具有更大的容量，已实现量产并作为东芯半导体今年的拳头产品推向市场。2u2ednc

“中国IC设计成就奖” 评选并表彰业内优秀的中国 IC 设计公司、上游服务供应商和热门IC产品。2022年是行业评选的第20年，每年提名的热门IC产品都是工程师了解行业最新动态的绝佳资料，“芯品汇”栏目特地汇聚整理了今年提名产品的性能信息，希望能为工程师设计提供参考。更多提名产品，请访问：https://iic.eet-china.com/list.html。最终获奖产品将在4月20日-21日在上海国际会议中心盛大举行的2022国际集成电路展览会暨研讨会IIC Shanghai 2022期间揭晓，欢迎免费报名参观。2u2ednc