“中国IC设计成就奖”提名产品简介：32Mb串口RAM-IS66/67WVS4M8ALL/BLL优势

奖项类别：存储器O6Oednc

提名公司：北京矽成半导体有限公司O6Oednc

提名产品：32Mb串口RAM-IS66/67WVS4M8ALL/BLLO6Oednc

推荐理由/产品简介：O6Oednc

传统的并口SRAM具有高速、低延迟、高稳定性的优点，但是也具有集成度低、体积大且成本高的弊端。针对目前高速发展的物联网IOT、人工智能AI 、可穿戴设备、汽车电子、以及移动设备等应用的需求，传统的SRAM已不能满足他们对于高容量、低功耗、低成本的要求。针对这些需求，我司推出了该款SerialRAM产品系列。O6Oednc

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该产品融合了传统SRAM和DRAM的优势，具有容量大、速度快、引脚少、成本低的优点，并可提供具有高可靠性的车规级产品。产品接口简单，无需太多复杂接口设计，可有效增强系统性能，简化设计，减少系统总成本。O6Oednc

该产品为32Mb容量，内置DRAM刷新及时序逻辑控制电路，接口兼容SPI和QPI，仅有8个引脚，速度可达104MHz，可提供小尺寸封装、甚至可提供晶圆片级芯片规模封装，用以满足现今各应用领域中对于小尺寸的要求。O6Oednc

该类产品在物联网IOT、人工智能AI 、可穿戴设备、汽车电子、以及移动设备等应用中有着广泛的需求，我司目前正在积极推广中，并与合作伙伴进行多个汽车电子解决方案的设计和验证，后续市场潜力巨大。O6Oednc

目前该产品已被中国电子信息产业发展研究院认定为2021年“中国芯”优秀技术创新产品。O6Oednc

“中国IC设计成就奖” 评选并表彰业内优秀的中国 IC 设计公司、上游服务供应商和热门IC产品。2022年是行业评选的第20年，每年提名的热门IC产品都是工程师了解行业最新动态的绝佳资料，“芯品汇”栏目特地汇聚整理了今年提名产品的性能信息，希望能为工程师设计提供参考。更多提名产品，请访问：https://iic.eet-china.com/list.html。最终获奖产品将在4月20日-21日在上海国际会议中心盛大举行的2022国际集成电路展览会暨研讨会IIC Shanghai 2022期间揭晓，欢迎免费报名参观。O6Oednc