“中国IC设计成就奖”提名产品简介：屏蔽栅金属氧化场效应晶体管JMSH1001ATL优势

奖项类别：功率器件宽禁带器件hKRednc

提名公司：捷捷微电（上海）科技有限公司hKRednc

提名产品：屏蔽栅金属氧化场效应晶体管JMSH1001ATLhKRednc

推荐理由/产品简介：hKRednc

捷捷微电 (上海) 科技有限公司已推出的 N 沟道 100V 含自有先进平台 JSFET 系列中的 JMSH1001ATL ，采用了经 AEQ-101 验证、具超优热导性能的 PowerJE10x12 (TOLL)  创新型封装。相比传统的 TO-263-3L 封装，面积少了 20%、高度降低 45%；因为热阻表现优越而至散热效果更好，进一步保证了器件的长期可靠性。该器件的封装可处理高达 375A 的电流，在大幅度减少占用空间的同时有效的提高功率密度。结合捷捷团队专业的设计、IATF 16949 验证的 [中芯集成] 代工晶圆厂制造的芯片、捷捷车规级先进封装产线完成的成品测试，JMSH1001ATL 的电器特性达国内最高水平，比肩国际一流大厂。不仅具有优越的 FOM 值 @ 202，标准导电阻抗更低至 1.3mΩ（Vgs = 10V 的条件下）。目前该器件已广泛适用于电动工具、轻型电动车辆、光伏储能逆变器、5G 通信及 PoE++ 等高功率应用。短期内，捷捷还将继续推出 AEC-Q101 车规级 JMSH1001ATLQ。hKRednc

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“中国IC设计成就奖” 评选并表彰业内优秀的中国 IC 设计公司、上游服务供应商和热门IC产品。2022年是行业评选的第20年，每年提名的热门IC产品都是工程师了解行业最新动态的绝佳资料，“芯品汇”栏目特地汇聚整理了今年提名产品的性能信息，希望能为工程师设计提供参考。更多提名产品，请访问：https://iic.eet-china.com/list.html。最终获奖产品将在4月20日-21日在上海国际会议中心盛大举行的2022国际集成电路展览会暨研讨会IIC Shanghai 2022期间揭晓，欢迎免费报名参观。hKRednc