CSA连接标准联盟新技术标准Aliro介绍

TSC020适用于高低边电流检测，共模电压范围宽达-4V到100V，可用于48V以上的汽车电源系统。高精度内部电路确保输入失调电压在±150µV以内，这有助于大幅减小外部分流电阻器的尺寸，降低耗散功率。优异的低压降检测功能有助于最大限度地减少测量误差。

RivieraWaves® UWB IP for FiRa 2.0具有尖端的干扰消除功能，将Ceva从汽车和移动设备市场扩展到智能家居、智能工厂等领域的大批量UWB导航、检测和远程控制用例~

GD32F5系列高性能MCU具备显著扩容的存储空间、优异的处理能效和丰富的接口资源，该系列MCU符合系统级IEC61508 SIL2功能安全标准，并且提供完整的软硬件安全方案，能够满足工业市场对高可靠性和高安全性的需求。

有助于简化工业电源、便携式设备充电器和交流/直流适配器操作，节省电能~

支持实现方形电芯之间的稳固连接，灵活运用于CTM、CTP和CTC等先进的动力电池系统，简化装配流程，并降低材料成本。

最新发布的 Info Input 7 引入了多项新的平台增强功能，包括针对非结构化文档的扩展文档 AI 服务、简化的无代码和低代码工作流程自动化任务，以及业界领先的人机交互功能。

贸泽从加利福尼亚州埃尔卡洪 (El Cajon) 的一个车库起步，最初只有几名员工，历经60年的潜心深耕、聚力笃行，如今已跻身全球十大代理商行列，市值达数十亿美元，并在全球拥有大约4000名员工和28个客户支持中心。

纳芯微宣布推出基于CMOS-MEMS的车规级相对湿度（RH）和温度传感器NSHT30-Q1。

采用热增强封装技术的100V GaN功率级，可将解决方案尺寸缩小40%以上，提高功率效率，并将开关损耗降低50%。业界超小型 1.5W 隔离式直流/直流模块可为汽车和工业应用提供比之前高八倍以上的功率密度。

自我保护器件R25阻值达1 k，可处理直流电压高达1200 VDC，能量吸收能力达240 J，适于汽车和工业应用···

全新 FPGA 能为嵌入式视觉、医疗、工业互联、机器人与视频应用提供高数量 I/O、功率效率以及卓越的安全功能 ···

在直接飞行时间传感器领域处于前沿地位，二十亿的 FlightSense™产品销量，意法半导体再次发力，针对相机辅助功能、虚拟现实、3D网络摄像头、机器人、智能建筑等重点目标应用，推出直接和间接飞行时间传感器···

小型LED封装，可靠高效，适用于汽车信号灯；SYNIOS® P1515 LED拥有360°辐射特性，创造独特的侧发光模式；使用少量LED或轻薄的光学组件，即可轻松实现色彩鲜明且引人注目的后照灯设计，同时保持超高水平的均匀光效；SYNIOS® P1515 LED有助于汽车制造商降低物料成本，或提高设计灵活性。

单个 DSP 用于嵌入式视觉、雷达、激光雷达和 AI 处理，在性能提升的前提下，带来显著的面积优化、功耗和成本的降低；针对 4D 成像雷达工作负载，新增的雷达加速器功能可提供高度可编程的硬件解决方案，显著提升性能；专为多传感器汽车、无人机、机器人和自动驾驶汽车系统设计中的传感器融合处理而设计~

先楫新一代的仪表显示产品具有高画质、低功耗等特点

美光 LPDDR5X 和 UFS 4.0 以高带宽、高能效以及大容量助力荣耀人工智能创新

飞行时间光学传感在智能手机上实现世界首个准确的个人空气质量监测器和烟雾探测器

Silicon Labs2024年2月29日宣布，公司的解决方案已被选择用于全球首批原生支持Matter-over-Thread的智能锁中。随着越来越多支持Matter的设备被部署以简化互联家居体验，企业需要可靠和安全的解决方案来加速将其兼容Matter的产品推向市场。

针对硅阳极锂离子电池的特点，希荻微推出了HL7603，一款专为硅阳极锂离子电池设计的DC-DC芯片，大幅提高电池的电量输出和提高电池续航能力。HL7603的诞生，极大的推动硅阳极电池在移动设备上的普及应用，满足AI手机对电池管理的高效需求。

让eUSB附件、设备和工控设备摆脱线缆羁绊

具有10TOPS/W能效的新一代AI加速器无需冷却风扇 即可提供高达80TOPS的AI推理性能

该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行，通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。

专业研发提供节省空间的PoE ASFET和EMC优化型NextPowerS3 MOSFET。

日前，威世科技宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造……