GaN可以与硅材料结合，开发能够使能5G通信技术的芯片。

5G无线接收器需要中等的分辨率和速度，将SAR ADC与容性DAC耦合，是实现其高能效转换的常用方法。结合流水线、交错和数字校准等技术，混合ADC方案已经证明可以达到12位ENOB（有效位数）的精度，以及数百MHz的速度。凭借这些特性，这类ADC可以满足5G应用所需的高吞吐量要求。

负反馈系列文章开始于经典的方框图，其中放大器和反馈网络都被认为是单向的。采用自下而上的方法，我们来探讨反馈网络通常是双向的。

负反馈电路中的馈通

新产品可与英飞凌的PrimePACK™3+和富士电机同类的IGBT模块配合使用，为两电平和三电平应用提供方案。SCALE-2™ 2SP0430T2XX门极驱动板适合工业、牵引、UPS和可再生能源应用，并且可为1200 V和1700 V IGBT模块提供加强绝缘。

1947 年12月23日，贝尔电话实验室 1 号楼 1E455 房间，研究员约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿按照团队第三名成员威廉·肖克利的设想，完成了首个点接触锗晶体管的制造。一场电子革命即将到来，全世界的生活、工作与娱乐方式由此改变。

这篇系列文章描述了如何利用GaN作为集成电路的衬底材料，用于5G高频应用，以提高5G基础设施中的功率放大器的效率。

在使用分流器测量电流的高频开关系统中，可能发现诸如正弦波电流纹波幅度过大、方波纹波或任何电流快速转换过冲，或高频噪声过大等问题。不修复这些动态问题，可能会影响电流测量精度并损坏数据采集系统。故障排除需要具有从直流到高频带宽的高质量钳位电流探头，使用高质量的分流器和IC可以获得更好的测量精度。

本设计实例描述了极点和零点的直觉概念，使用运算放大器来控制它们在复平面中的位置，并使用一个单端口电路的自然响应来说明极点/零点位置的影响。单端口的自然响应由其阻抗Z(s)的根控制：极点控制开路电压响应v_n(t)，零点控制短路电流响应i_n(t)。从某种意义上说，根就是单端口的DNA。

“中国的发展，特别是芯片的发展，有两个轮子：资本和技术。” 中国半导体行业协会集成电路分会理事长魏少军教授(IEEE会士)指出，“资本不稀缺，但技术是稀缺的。中国的发展，进步快，但是基础不牢，我们的技术还不是很好，很多的技术进步更多的靠工艺和工具的进步。”

本文第1部分将运算放大器从单极点有限增益放大器近似为无限增益单极点运算放大器，并推导出跨阻放大器电路的增益。这是文章的第2部分，将得出结果。文章表明，即使是双元件电路也可能涉及重要的动态推导。文中的跨阻放大器分析为这样的电路提出了一个通用的设计模板，还提供了一个指导示例，来解释如何分析放大器的动态特性。

半导体公司提供全差分放大器只有几年时间，但这种放大器在示波器等尖端电子领域已经使用几十年了。这种差分放大器不仅在输入端而且在输出端都是差分，因此具有双倍的输出范围。全差分单片放大器与地隔离，可明显改善波形质量，用于驱动高分辨率ADC和其它高性能(高速和精密)放大器应用。

2025年48V轻混系统全球装车辆将达到1100万辆，在混动车中占据超过半壁江山；而在中国市场上，随着新能源补贴加速退坡，48V轻混系统将更早成为混动系统中的主流。

一个看似简单的电路只有两个器件，一个运算放大器和一个反馈电阻，通常用于将电流转换为电压。我们熟悉的光探测器或阻抗计电流检测放大器就是这样的电路。

想象一种不需要使用放大器的光电二极管。理论上，不必再为了增强讯号而在光电二极管周围加上复杂的模拟电路，就能直接将它设计于穿戴式SoC中…