在本文中，我们将重点关注如何验证GaN可靠性并重点介绍来自GaN器件的可靠性数据。

我一直觉得“光电倍增器”一词是错误的说法。每个入射光子都会引发一连串的事件，导致大量电子到达阳极。因此，这更像是一个电子倍增的过程...

SpaceX从加州范登堡空军基地发射了其最新的Starlink任务。这次发射是该公司今年的第30次发射，它使用了一个相对较新的助推器和整流罩。

制造商在生产高质量SiC衬底时面临着多重挑战。

 Occamy是一款用于AI和高性能计算工作负载的低功耗芯片，芯片基于开源的RISC-V架构，采用Chiplet工艺，基于用格芯12nm低功耗制程，整合了两组32bit的216个RISC-V内核，加上未知数量的64bit的浮点运算单元 (FPU)，以及两颗来自美光科技的16GB HBM2e存储芯片。

我国在酒泉卫星发射中心成功发射的可重复使用试验航天器，在轨飞行276天后，于5月8日成功返回预定着陆场。可重复使用航天器的终极目标，是能像飞机一样水平起降、可单级入轨的“空天飞机”。其为了提高在大气层内的飞行效率，需要用涡轮发动机、冲压发动机与火箭形成组合动力，目前国内已有相关研究，但该技术难度极大，业内人士预计还需要15年左右才能有所突破。

不正确的接地会在数据记录、数据采集以及测量和控制系统中产生问题。

研究人员已经开发出一种算法，可以 "窃听 "来自卫星的任何信号，并利用它来定位地球上的任何一点，就像GPS一样，甚至比GPS更精确。

5月3日，初创公司NEO Semiconductor宣布推出其突破性技术3D X-DRAM，该技术可以生产230层的128Gb(16GB) DRAM芯片，是当前DRAM密度的八倍。这是全球首款类3D NAND DRAM单元阵列，旨在解决DRAM的容量瓶颈，取代整个2D DRAM市场。

近日，美国麻省理工学院一个跨学科团队开发出一种低温生长工艺，可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维(2D)过渡金属二硫化物(TMD)材料层，以实现更密集的集成。

在将SiC MOSFET安装到关键任务应用之前，应对其可靠性和鲁棒性进行评估。本文围绕1200V DMOSFET技术的可靠性和鲁棒性展开，以便更好地理解系统设计的权衡，以提高效率和可靠性。

智能产线物流技术能够从四个方面进一步推动工业制造业转型，实现产业升级。 

日前，卫星通信公司Sateliot在twitter表示，Sateliot_0 “The GroundBreaker”通过 SpaceX Falcon 9 成功发射。据悉，Sateliot_0是有史以来第一颗符合 5G 标准的卫星，该卫星约10公斤重，可在近地轨道提供数据中继服务，属于Sateliot_X卫星网络中的第一颗。

越来越多具备异质电压域的系统级芯片(SoC)设计从定制模拟IP转向自动化实现，因此设计工程师不必再担心手动模拟定制导致的进度落后。

该技术使电动汽车行业能够实现其脱碳目标。