跨阻放大器（TIA）的输入阻抗是多少呢？无穷大还是零呢？都不是，究竟是多少？

PN节的反向偏置漏电流有很强的正温度系数，每升高10℃,漏电流大约增大一倍。 在figure1归一化曲线中可以看出，这种指数增长使得漏电流快速增加。到125℃时， 漏电流相对室温下增长了约1000倍。

IGBT和功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件，栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极和发射极。为了操作MOSFET/IGBT，通常须将一个电压施加于栅极。

我们都曾偶遇过这样一款模拟IC，一见到它，你就会忍不住惊呼“哇！”。那么，什么样的IC才能让你一见倾心？

最近我与一名刚毕业的电子工程师聊天，对他不经意的说话感到有些惊讶。他声称，现在只要花很少的成本就可以实现很高的计算“能力”，因此几乎所有的技术分析问题都可以“立即”通过数字运算来解决。真是如此吗？

许多教材和参考指南将运算放大器（运放）定义为可以执行各种功能或操作（如放大、加法和减法）的专用集成电路（IC）。虽然我同意这个定义，但仍需注重芯片的输入引脚的电压。

电源模块是一种通常采用开关模式的封装电源，能够轻松焊接到电路板上，用于将输入电压转换为经过控制的输出电压。与通常只在芯片上集成控制器和电源开关的开关稳压器IC相比，电源模块还可以集成无数个无源组件。

能否让低压放大器自举来获得高压缓冲器？您可以采用具有出色输入特性的运算放大器，并进一步提高其性能，使其电压范围、增益精度、压摆率和失真性能均优于原来的运算放大器。

目前在消费类市场适配器应用上，大部分采用SSR架构(Secondary Side Regulator)的拓朴方案，而使用PSR 拓朴架构(Primary Side Regulator)的应用，大部分产品功率小于18W 电源产品。

模拟输出提出了一个特殊的挑战（如图1所示），因为需要在众多不同负载条件下提供高精度的有源驱动设定值。有源驱动器级此时变得尤为重要；损耗应尽量小。

独石电容和瓷片电容都属于陶瓷电容，整体构造上看独石电容和瓷片电容的区别是：独石电容是多层陶瓷电容的别称，独石电容是由多层介质和多对电极构成的，而瓷片电容一般是由一层介质和一对电极构成的，瓷片电容分为高频瓷介和低频瓷介两种。

在设计运算放大器时，是不可能不含输入电容的，而运算放大器的印刷电路板上就包含更多了。除了反馈电容器C_F，其他所有电容都是杂散电容，它们会影响电路的稳定性。

虽然我们使用的耳机产品越来越高档，但在室外使用普通耳机耳塞只能通过提高音量来盖过噪声，这样就不可避免地对我们的听力造成一定的损伤。针对这个问题，使用降噪耳机是比较好的选择……

本文说明如何将3 A LT3033极低压差稳压器(VLDO)并联产生3 A以上电流并改善散热情况。利用LT3033的内置输出电流监测功能可以简化并联电路的设计，实现均流。

与B类放大器相比，使用开关（D类）放大器可以提高效率。然而，这会引入开关噪声并使电路变得更加复杂。B类电路几乎没有噪声，电路更简单，并且具有完全的正弦波形。