半导体技术的飞速发展，包括高性能宽禁带(WBG)器件在商业上的可用性不断提高，以及EV动力总成的迅速发展，从一代车辆到下一代车辆的设计常常发生重大变化。半导体领域的持续创新使汽车厂商能够减少排放/增加电动汽车的行驶里程，提高自主性并减少关键电子系统的尺寸和重量，从而使最新一代的汽车对购车大众更具吸引力。

在从L2/L3级ADAS向L4/L5级全自动驾驶演进的过程中，神经网络加速器将是至关重要的组成部分。这些ADAS/自动驾驶系统需要处理各种各样的复杂场景，比如从多个摄像头和激光雷达的传感器融合中提取数据，以实现自动泊车、十字路口管理，以及复杂城市环境安全导航等高级功能。能够结合高性能、低延迟和高能效的AI加速器将是实现高级别自动驾驶的关键所在。

据汽车行业权威调研数据显示，2019 年国内车规级IGBT 市场呈现寡头垄断格局，英飞凌以高达58.2%的市场份额位居第一，比亚迪位列第二，占18%。作为国内第一家自主研发、生产车用IGBT芯片的公司，比亚迪半导体成为国内市场上最有能力挑战国际大厂的本土厂商。以比亚迪半导体为代表的国内汽车半导体厂商与以英飞凌为代表的国际厂商相比，无论在技术实力、市场规模，还是产品线布局上，都还有很大的差距。然而，从积极一面来看，国内半导体厂商仍然有着巨大的发展空间和机遇。

激光雷达（LiDAR）因其360°的全视野而被许多自动驾驶车辆开发商青睐，被用于构建车辆周围环境的三维地图，但大规模部署仍充满新的挑战和压力。

SiC功率器件和模块的应用离不开驱动电路及其相应的芯片。然而，大多数驱动电路芯片都是普通的硅器件，均不能耐高温，其若能在高温如175℃下工作1000小时，已经是凤毛麟角了。另外，耐高温只是问题的一方面，更严重的是高温时器件性能的一致性问题。普通硅器件在70℃之上性能弱化得非常之快，因此在高温下无法应用。

无线充电提供了一种更直接，更方便的充电方法，但驾驶员必须开车进入带有充电垫的停车位，这种充电方法还为在高速公路上安装充电基础设施打开了大门，使车辆可以在旅行过程中充电以扩大续航里程。

在2020全球双峰会-分销与供应链领袖峰会上，来自美国老牌独立分销商SMITH的深圳公司总经理陈卓铿(Claudio Chan)为与会观众分享了选择元器件采购伙伴的最佳实践。

在由ASPENCORE举办的2020全球双峰会现场展商展示区域，小编注意有家几年前接触过的公司——北京晶宇兴科技有限公司，它是一家集研发、生产及销售为一体的石英晶体、晶振等频率控制器件的专业公司。

11月6日，由ASPENCORE主办的2020年“全球分销与供应链领袖峰会”在深圳召开。拍明芯城（ICZOOM）创始人&CEO夏磊在会上发表“元器件与大数据”的主题演讲，内容涵盖“市场分析，拍明芯城解决方案，开放共生、合作共赢”三个方面。

2020年全球CEO峰会圆桌论坛的主题是“迎接新常态，构想电子产业发展的新十年”，由ASPENCORE中国区主分析师Echo Zhao主持，特邀嘉宾包括：Imagination公司全球副总裁，中国区总经理刘国军（James Liu）、思特威电子科技有限公司创始人兼CEO徐辰、兆易创新CEO兼Sensor事业部总经理程泰毅、安谋中国市场及生态副总裁梁泉、华为企业业务全球营销副总裁李俊朋。

全球疫情给经济和社会造成了巨大的动荡，在此期间，全球各行业在一定程度上都调整了各自的经营模式。虽然人们在思考疫情时，首先想到的肯定不是半导体，但在帮助人类对抗病毒时，半导体的确发挥了非常重要的作用。半导体将很多不可能的构想，变成了可能，但最近全球贸易环境紧张，让半导体供应链出现问题。需要明确的是，半导体是一个全球性的行业……

ASPENCORE第三届“全球CEO峰会”今天在深圳召开，大会的主题是“重思，重构，重升”。本届大会邀请到ADI总裁兼首席执行官Vincent Roche与ADI中国区总裁范建人两位重磅演讲嘉宾，他们站在ADI的角度对这一主题以及中国本地策略进行了详细解读。

当前，新型快速开关的碳化硅（SiC）功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应，SiC器件的一系列特性，如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能，使系统工程师能够在电机驱动控制器和电池充电器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得显著进展，同时推动SiC器件的价格持续下降。然而，在大功率应用中采用SiC还存在一些重要的制约因素，包括经过良好优化的功率模块的可获得性，还有设计高可靠门级驱动的学习曲线。智能功率模块（IPM）通过提供高度集成、即插即用的解决方案，可以加速产品上市并节省工程资源，从而能够有效地应对上述两项挑战。

未来的数字世界有望为人们带来更舒适和更安全的生活。不过，自动驾驶、交通标志的自动检测以及许多其他功能都要求不间断的数据连接，因此需要安全稳定的持续电源供应。

做电路设计都需要用到以下的公式来计算元器件的结温：TJ=TA+θJA·PH。现在让我们来仔细研究一下这些参数值，看看它们是如何在数据手册中欺骗了你这么多年。