大联大控股宣布，其旗下世平推出基于恩智浦（NXP）S32K344芯片的车身控制模块（BCM）方案。

2010年到2022年，中国企业在这些领域提交了41,011项专利申请。虽然排名靠前的中国企业不多，但中国在这一领域的参与者数量之多使得他们提交的申请总量比日本公司多出大约50%，日本企业以26,962项专利位居第二。

近日，美国麻省理工学院一个跨学科团队开发出一种低温生长工艺，可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维(2D)过渡金属二硫化物(TMD)材料层，以实现更密集的集成。

在将SiC MOSFET安装到关键任务应用之前，应对其可靠性和鲁棒性进行评估。本文围绕1200V DMOSFET技术的可靠性和鲁棒性展开，以便更好地理解系统设计的权衡，以提高效率和可靠性。

Eggtronic的技术解决了传统无线充电中出现的效率挑战。

近日，蓉矽半导体成功实现国内最低导通电阻产品1200V 12mΩ SiC MOSFET量产突破，首批次量产平均良率高达80%，满足车规主驱芯片的高可靠性要求，为高质量国产替代提供了坚实保障。

了解eFPGA IP的基础知识，它的优点，以及为什么它将成为未来先进驾驶辅助系统（ADAS）技术的关键要素。

本文提出了一种基于串联DAB的OBC，它使用并行功率处理来提供基于标准Si 650V MOSFET晶体管的高性能和低成本解决方案。

本文对Spice仿真中时间常数的使用进行了深入分析。还讨论了可视化输出数据的方法。

越来越多具备异质电压域的系统级芯片(SoC)设计从定制模拟IP转向自动化实现，因此设计工程师不必再担心手动模拟定制导致的进度落后。

随着北美和欧洲电动汽车(EV)普及率的提高，研究人员正在花时间了解充电需求及其对电网运营的影响。

近日，美国芯片公司Marvell，终于正式发布了全球第一颗3nm芯片，基于台积电3nm工艺打造的数据中心芯片。

该技术使电动汽车行业能够实现其脱碳目标。

在本课程中，您将学习如何使用SPICE语言创建电路模型并仿真其性能。

在Graetz桥式整流器上增加电容器可以降低高频噪声并在冷启动期间保护二极管。