为了保持性能，5G移动设备的天线设计需要进行特别考虑。整个性能受到地平面、电路板上的天线定位以及其他相关元器件的影响。通过从设计之初就进行分析和修正，无线设备所需的可靠性成为可能。

SPL PL90AT03红外激光二极管的峰值功率达75W，孔径为110µm，在远距离激光雷达和飞行时间传感应用中表现出色；适合机器人、工厂/工业自动化、无人机、测距仪、智慧城市、智能物流等3D传感应用；经济型塑料封装适合消费电子及工业应用，支持数ns~100ns之间的短脉冲。

在我们数字电子课程的第2部分中，我们将更好地了解数字电子与模拟电子相比的重要性。当您可以在两个不同的电压电平之间进行选择而不必担心控制信号的实际电位差时，系统在软件和硬件层面都会变得更加简单。

随着电气化的普及，半导体创新使我们能够与电动汽车、可再生能源和其他高压系统安全可靠地进行交互。

与市场上的标准光电二极管相比，新推出的TOPLED® D5140 SFH 2202光电二极管具有更高的灵敏度，线性度也更出色；在复杂的环境光条件下，采用TOPLED® D5140 SFH 2202的可穿戴设备能够更准确地测量心率和血氧饱和度（SpO2）；TOPLED® D5140 SFH 2202为面向高端市场的可穿戴设备制造商产品提供卓越的生命体征监测性能，更具市场竞争力。

Power Electronics News探讨了在涉及高压的应用中优化宽禁带半导体使用的方法。

Diodes宣布推出新款双向瞬态电压抑制二极管(TVS)，从而满足市场稳健保护高速数据端口的需求。

电源噪声是一个经常出现的结果，设计者和其他参与电子生产的人必须预测并计划减少它们。以下是实现该目标的一些可行的方法。

高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件设计和制造上都获得了哪些进展和成果。

随着人工智能和5G的进步，智能边缘时代的转型也在加速，互联和计算的优势正快速衍生到工业和高端汽车体验等应用中，人们在这些具有挑战的环境中对微控制器(MCU)提出了新的要求。在3月30日举办的MCU 技术与应用论坛上，多位行业专家将齐聚一堂，与观众共同探讨如何打造更智能、更安全、更互联的MCU方案，加速拥抱智能边缘时代。

在3月29日和3月30日，由电子工程领域全球领先的技术媒体机构AspenCore主办的2023国际集成电路展览会暨研讨会(IIC)上海展会活动现场，汇聚了众多国内外优质展商，EDN小编在现场参观走访时，也发现不少的国产厂商都提到了“国产化”，就让我们一起来看看这些国产厂商在这条路上做了哪些努力，又是怎样推动了国产化的全速“狂飙”。

东芝宣布推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。

器件通过AEC-Q200认证，节省电路板空间的同时，减少元器件数量并降低加工成本

拜登总统在致辞中指出政府项目旨在促进美国经济增长，包括投资 Wolfspeed 这类半导体制造商

派克汉尼汾宣布推出VA系列下一代预补偿负载感应（LS）阀，该阀面向行走机械严苛的应用工况而设计。