本次实验旨在研究简单推挽放大器的输出级（B类和AB类）。

新功率器件正大量涌现，我们恭逢其盛；随着汽车的动力总成、信息娱乐系统、配件等日益电气化，对于需要更高电压/电流、强调耐久性和温度范围性能的非汽车类等其他领域，也会造成同样意想不到的连锁反应。

碳化硅功率器件将快速成为车用半导体产业的明日之星。本刊特别邀请到在第三类半导体研究领域顶尖学者崔秉钺教授，为本刊撰文介绍碳化硅功率器件的发展概况与技术趋势，与读者分享此一重要科技领域的学术研究进展。

Transphorm的氮化镓器件具有低开关损耗以及低栅极电荷等优势， 可用于高频开关，满足太阳能发电、LED照明、大功率快充应用等。宽泛的驱动电压范围，能够很好的支持传统控制器，实现高频开关的同时，降低整体系统成本。

英飞凌宣布推出EiceDRIVER F3 （1ED332x）增强型系列栅极驱动器，进一步壮大其EiceDRIVER增强型隔离栅极驱动器的产品阵容。

开关模式电源(SMPS)产生的EMI辐射频谱是由许多参数组成的函数，包括热回路大小、开关速度（压摆率）和频率、输入和输出滤波、屏蔽、布局和接地。一个潜在的辐射源是开关节点，在很多原理图上称为SW。SW节点铜可用作天线，发射快速高效的高功率开关事件产生的噪声。这是大多数开关稳压器的主要辐射源。

问题：如何在电路仿真中考虑多层陶瓷电容器(MLCC)的直流偏置影响？答案：使用LTspice的非线性电容功能和合理的模型。

尽管碳化硅(SiC)具有开关速度更快和效率更高等一系列优势，但它也带来了一些设计挑战，我们可以通过选择合适的栅极驱动器来予以解决。

器件降低成本，节省电路板空间，1 cm距离处电场可减小-20 dB

移动设备工程师可以使用TVS二极管保护USB线路，使用数字温度指示器保护USB Type-C连接器，从而保护他们的设计。

SGT75T60SDM1P7产品是士兰微电子采用第三代场截止(Field Stop III)工艺制作的绝缘栅双极型晶体管，具有较低的导通损耗和开关损耗、快速关断能力、宽反向安全工作区范围等特点。该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。

碳化硅肖特基功率二极管在开关电源电路中的应用，更好的让电路工作在高频状态，减小电路中电感等元件体积重量，由于碳化硅肖特基二极管优良的耐温性能和低损耗特性，让电路中热沉的体积重量得到改善，便于优化电路的热设计，与此同时，应用了SOD123封装形式的该款器件，为功率二极管小型化提出了解决方案，更好的贴合对器件小型化和产品功率密度改善有要求的客户需求。该产品可应用于高频ACF，小功率GaN适配器，驱动部分自举电路，高频DC/DC电路等应用场合。G51XT碳化硅肖特基二极管已进入市场，有良好的市场反馈。

捷捷微电 (上海) 科技有限公司已推出的 N 沟道 100V 含自有先进平台 JSFET 系列中的 JMSH1001ATL ，采用了经 AEQ-101 验证、具超优热导性能的 PowerJE10x12 (TOLL) 创新型封装。

维安面向全球市场，在800V及以上超高压产品进行了大量的技术投入，经过近多年的超高压SJ-MOSFET产品研发积累，已开发出国内非常领先的工艺技术，可以将小封装，高耐压导通电阻做到非常低水平。给客户提供高功率密度的800V及900V以上耐压产品。此举填补国内空白，打破了进口品牌垄断的局面。降低对国外产品依存度。维安1000V超结工艺产品技术利用电荷平衡原理实现高耐压的低导通电阻的特性。相比VD-MOSFET 结构工艺产品，SJ-MOSFET有更好的更小封装和成本优势。目前市场使用1000V耐压MOSFET，多以TO247, TO-3P甚至TO-268超大封装。维安1000V器件WMO05N100C2，使用TO-252/DPAK贴片封装，内阻低至3.5Ω，相比同规格VDMOSFET 6-7Ω 下降1倍。目前在工业控制，中低压配电等380VAC输入场景得到广泛应用。