氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)这两种新器件正在推动电力电子行业发生重大变化，它们在汽车、数据中心、可再生能源、航空航天和电机驱动等多个行业取得了长足的进步。在由AspenCore集团举办的PowerUP Expo大会上，演讲嘉宾们深入探讨了包括GaN和SiC在内的宽禁带(WBG)器件的技术优势以及发展趋势。

功率转换器的性能通常归结到效率和成本上。实际示例证明，在模拟工具的支持下，SiC FET技术能兼顾这两点。

汽车级器件阻值高达7.5M，温度系数低至±25ppm/K，公差仅为±0.1%

器件适用于小信号探测，符合AEC-Q101标准，不透明封装信噪比优异，几乎无段间公差

与传统的光耦合器相比，数字隔离器在高速、低功耗、高可靠性、小尺寸、高集成度和易用性方面更具优势。数以十亿计的使用微变压器的数字隔离器已广泛用于许多市场，包括汽车、工业自动化、医疗和能源。这些数字隔离器之所以具有高压性能，主要原因在于：在堆栈式绕组变压器的顶部螺旋绕组和底部螺旋绕组之间使用了聚酰亚胺膜。本文将介绍数字隔离器的结构，其中使用聚酰亚胺膜作为隔离层。为了满足多种安全标准，例如UL和VDE，数字隔离器需要具有承受短时耐受电压、浪涌电压、工作电压等各种高压性能。研究了聚酰亚胺在交流或直流等各种高压波形下的老化行为，并通过聚酰亚胺寿命模型推算出隔离器的工作电压。此外，还将讨论通过改进结构来改善聚酰亚胺的高压使用寿命。

继成功推出超级充电桩HYC150和HYC300之后，alpitronic近日再次宣布推出业界领先的50kW直流充电桩HYC50。该产品通过采用英飞凌的EasyPACK CoolSiC MOSFET 1B和2B模块以及EiceDRIVER X3驱动器来实现。

公司被评为全球功率半导体领导者和无源元件年度领先供应商

本次实验旨在研究使用增强模式NMOS晶体管的简单差分放大器。

目标本次实验旨在研究一个使用NPN晶体管的简单差分放大器。首先，我们需要做一些关于硬件限制问题的说明。ADALM2000系统中的波形发生器具有高输出带宽，该高带宽代来了宽带噪声

在本系列文章的第一部分中，我们介绍了电动车快速充电器的主要系统要求，概述了这种充电器开发过程的关键级，并了解到安森美（onsemi）的应用工程师团队正在开发所述的充电器。现在，在第二部分中，我们将更深入研究设计的要点，并介绍更多细节。特别是，我们将回顾可能的拓扑结构，探讨其优点和权衡，并了解系统的骨干，包括一个半桥SiC MOSFET模块。

器件可定制，适合表面贴装或插件组装，饱和电流达35A，直流阻抗低，可在高达+155℃温度下工作

Wolfspeed近日与通用汽车达成了供应链协议，为其电动汽车开发并生产碳化硅(SiC)半导体。2021年8月，Wolfspeed以8亿美元延长了与意法半导体的多年协议，为其供应150mm SiC裸晶圆和外延片。这两笔交易使人们更加关注在向全电动汽车转化的过程中，SiC技术发挥的重要作用。

电动汽车、商业运输、可再生能源和存储系统设计人员可从碳化硅协议栈解决方案中获益，提高性能和成本效率，可使产品最多提前6个月上市

派恩杰的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破，获得了新能源汽车龙头企业数千万订单，并已开始低调供货。