本次实验旨在研究使用增强模式NMOS晶体管的简单差分放大器。

目标本次实验旨在研究一个使用NPN晶体管的简单差分放大器。首先，我们需要做一些关于硬件限制问题的说明。ADALM2000系统中的波形发生器具有高输出带宽，该高带宽代来了宽带噪声

在本系列文章的第一部分中，我们介绍了电动车快速充电器的主要系统要求，概述了这种充电器开发过程的关键级，并了解到安森美（onsemi）的应用工程师团队正在开发所述的充电器。现在，在第二部分中，我们将更深入研究设计的要点，并介绍更多细节。特别是，我们将回顾可能的拓扑结构，探讨其优点和权衡，并了解系统的骨干，包括一个半桥SiC MOSFET模块。

器件可定制，适合表面贴装或插件组装，饱和电流达35A，直流阻抗低，可在高达+155℃温度下工作

Wolfspeed近日与通用汽车达成了供应链协议，为其电动汽车开发并生产碳化硅(SiC)半导体。2021年8月，Wolfspeed以8亿美元延长了与意法半导体的多年协议，为其供应150mm SiC裸晶圆和外延片。这两笔交易使人们更加关注在向全电动汽车转化的过程中，SiC技术发挥的重要作用。

电动汽车、商业运输、可再生能源和存储系统设计人员可从碳化硅协议栈解决方案中获益，提高性能和成本效率，可使产品最多提前6个月上市

派恩杰的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破，获得了新能源汽车龙头企业数千万订单，并已开始低调供货。

新器件提供卓越的开关特性，使电源能符合80 PLUS Titanium能效标准

2021年12月7日，英国朴茨茅斯– Harwin 最近扩大了印刷电路板插座产品组合，为广受市场欢迎的 Sycamore Contact 系列推出了更多尺寸。工程师可将这些额定电流为 6A 的表面

SiC MOSFET的驱动与Si MOSFET的区别之一是驱动电压不同，传统Si MOSFET驱动只要单电源正电压即可，而SiC MOSFET需要单电源正负压驱动。SiC MOSFET要替代Si MOSFET，就要解决负压电路如何实现的问题。

派恩杰的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破，获得了新能源汽车龙头企业数千万订单，并已开始低调供货。

全新单片微波集成电路（MMIC）和分立器件，可满足5G、卫星通信和国防应用的性能要求

器件采用2525外形尺寸封装，高度仅为3mm，符合AEC-Q200标准，工作温度达+155℃

SMDY1系列入围“年度无源与机电产品”

Diodes为MOSFET推出节省空间、高热效率的TOLL(PowerDI 1012-8)封装