器件外形尺寸1212至8787，供货周期为10至16周

器件采用2525外形尺寸封装，高度仅为3mm，工作温度达+155℃

Digi-Key Electronics近日被TDK授予2021年度全球最佳绩效奖。TDK 是一家提供包括电容器、电感器、RF元件等各种无源产品的电子公司。

在本文中，我们将介绍一种实施备用电源方案的简单方法，它使用TI的TPS61094降压/升压转换器和一款超级电容器，满足NB-IoT和射频标准。我们还将对基于TPS61094的解决方案与现有的TI参考设计进行比较。

器件可在+125℃高温下工作，经过500小时85℃/相对湿度85%条件下温湿度偏压测试

由忱芯科技（UniSiC）主办的碳化硅功率半导体及应用研讨会在苏州成功召开，横跨芯片、材料、封装及应用领域的多位国内外顶尖的宽禁带半导体技术带头人受邀参会，围绕宽禁带半导体卡脖子关键技术难题分享观点，展开讨论。值此盛会，泰克科技与忱芯科技达成了全范围的战略合作联盟，双方将深度整合资源，优势互补，围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的产品合作，为客户解决宽禁带半导体测试挑战。

增加GaNSense技术，全新GaNFast氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护，为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最高效率和可靠性

可定制器件采用小型两件式结构，工作温度达+105℃，适用于各种恶劣商用环境

加固型双电层储能电容器被评为年度高性能无源分立器件

15 A至 75 A器件提高电动汽车/混合动力汽车车载充电器AC/DC和DC/DC转换器效率

在由ASPENCORE举办的2021全球双峰会的全球分销与供应链峰会上，北京京北通宇电子元件有限公司创始人兼董事长刘国枝女士带来“企业核心竞争力”的主题演讲。她从虚和实两个方面探讨了这个话题。

紧凑的12.5mm小型器件最多可配置七个模块适用于越野、航空和工业应用

对于GaN功率器件的制造商而言，扩充产能是当前的重中之重。对此，思锐智能推出了业界领先的量产型ALD沉积设备——Beneq Transform™系列，凭借成熟、稳定的多片沉积工艺，能够为高端应用的行业客户提供卓越的沉积镀膜生产效率，以及传统工艺无法企及的镀膜均匀性、纳米级膜厚精准控制等优势，进而助力产能扩充的需求。

最高品质的溅射钌触点开关，适用于低电平“干性”切换

器件专门用来取代体积较大且昂贵的解决方案，可在+155 °C高温下连续工作