新器件提供卓越的开关特性，使电源能符合80 PLUS Titanium能效标准

2021年12月7日，英国朴茨茅斯– Harwin 最近扩大了印刷电路板插座产品组合，为广受市场欢迎的 Sycamore Contact 系列推出了更多尺寸。工程师可将这些额定电流为 6A 的表面

SiC MOSFET的驱动与Si MOSFET的区别之一是驱动电压不同，传统Si MOSFET驱动只要单电源正电压即可，而SiC MOSFET需要单电源正负压驱动。SiC MOSFET要替代Si MOSFET，就要解决负压电路如何实现的问题。

派恩杰的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破，获得了新能源汽车龙头企业数千万订单，并已开始低调供货。

全新单片微波集成电路（MMIC）和分立器件，可满足5G、卫星通信和国防应用的性能要求

器件采用2525外形尺寸封装，高度仅为3mm，符合AEC-Q200标准，工作温度达+155℃

SMDY1系列入围“年度无源与机电产品”

Diodes为MOSFET推出节省空间、高热效率的TOLL(PowerDI 1012-8)封装

器件外形尺寸1212至8787，供货周期为10至16周

器件采用2525外形尺寸封装，高度仅为3mm，工作温度达+155℃

Digi-Key Electronics近日被TDK授予2021年度全球最佳绩效奖。TDK 是一家提供包括电容器、电感器、RF元件等各种无源产品的电子公司。

在本文中，我们将介绍一种实施备用电源方案的简单方法，它使用TI的TPS61094降压/升压转换器和一款超级电容器，满足NB-IoT和射频标准。我们还将对基于TPS61094的解决方案与现有的TI参考设计进行比较。

器件可在+125℃高温下工作，经过500小时85℃/相对湿度85%条件下温湿度偏压测试

由忱芯科技（UniSiC）主办的碳化硅功率半导体及应用研讨会在苏州成功召开，横跨芯片、材料、封装及应用领域的多位国内外顶尖的宽禁带半导体技术带头人受邀参会，围绕宽禁带半导体卡脖子关键技术难题分享观点，展开讨论。值此盛会，泰克科技与忱芯科技达成了全范围的战略合作联盟，双方将深度整合资源，优势互补，围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的产品合作，为客户解决宽禁带半导体测试挑战。

增加GaNSense技术，全新GaNFast氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护，为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最高效率和可靠性